[實用新型]一種高耐濕性肖特基勢壘二極管芯片

有效

• 申請號: 201521055069.0
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN205231040U
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 姚偉明;楊勇;馬文力;付國振;譚德喜
• 申請（專利權）人: 揚州國宇電子有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L29/872
• 代理公司: 蘇州潤桐嘉業知識產權代理有限公司 32261
• 代理人: 胡思棉

1.一種高耐濕性肖特基勢壘二極管芯片，其包括N型重摻雜硅襯底、在所述N型重摻雜硅襯底上生長的N型輕摻雜外延層、在所述N型輕摻雜外延層中設置有P型重摻雜環區、位于所述P型重摻雜環區上方的薄氧化層、位于所述薄氧化層外側的場氧化層、位于所述薄氧化層內側的肖特基勢壘層，位于所述場氧化層、所述薄氧化層、所述肖特基勢壘層上方的正面多層金屬層，及位于所述N型重摻雜硅襯底下面的背面多層金屬層，其特征在于在所述場氧化層上方、所述薄氧化層的上方及其內側設置有對高密度介質層，位于所述薄氧化層內側的所述高密度介質層覆蓋部分所述P型重摻雜環區；所述高密度介質層位于所述正面多層金屬層下方。

2.根據權利要求1所述的高耐濕性肖特基勢壘二極管芯片，其特征在于所述高密度介質層厚度為50~500nm。