[實用新型]一種鍍膜膜厚監測裝置

有效

• 申請號: 201521041410.7
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN205373621U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 周東平
• 申請（專利權）人: 蘇州晶鼎鑫光電科技有限公司
• 主分類號: G01B7/06
• 分類號: G01B7/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種鍍膜膜厚監測裝置，用于精確地測量厚膜膜厚。

背景技術

光學薄膜技術應用越來越廣泛，而膜厚是光學薄膜最重要的指標之一。膜厚對薄膜的光學、電學和力學性能都有決定性的影響。因此，在生產過程中能夠準確監測膜厚顯得非常重要。而隨著對薄膜要求的提高，復雜膜系的各層薄膜膜厚精度要求也越來越高，復雜膜系的厚度通常也較厚。

通常使用石英晶振對膜厚進行監測，晶振和產品被一起鍍膜，通過探測晶振的頻率變化計算得到膜厚。石英晶振上的膜厚越大，膜厚監測靈敏度越差，降低了產品的良率。對于厚膜的監控，現有技術中有一些改進的結構，即在鍍膜腔內不同位置增加一個晶振探頭進行測量，第一個晶振在被鍍膜時，第二個被遮擋，當厚度到達一定程度后，第二個晶振被鍍膜并開始監測。對于復雜膜系的蒸鍍，其總厚度大，而厚度精度要求還高，在不同位置增加探頭進行厚度監測雖然改善了單探頭不靈敏的缺點，但由于均勻性的問題，不同位置的鍍膜厚度并不完全相同，不同位置的監測連續性較差，從而會影響膜系的精度，降低了產品的良率。

實用新型內容

為克服現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種結構簡單、靈敏性高的鍍膜膜厚監測裝置。

為實現上述目的，本實用新型通過以下技術方案實現：

一種鍍膜膜厚監測裝置，包括：擋板1，設于擋板上的通孔2，第一晶振3，第二晶振4，其中，第一晶振與第二晶振的監測位置相同，通孔處為監測位置，第一晶振在監測位置被鍍膜時，遮擋第二晶振；當第一晶振被鍍膜到一定的厚度后，第一晶振被移離而第二晶振被移到監測位置，對膜厚進行連續監測。

優選的是，所述的膜厚監測裝置，其中，所述第一晶振位于第二晶振左側，當第一晶振被鍍膜到一定厚度后，兩個晶振被同時移向左側，第二晶振在通孔處被鍍膜，開始對膜厚進行監測，而第一晶振被遮擋并停止工作。

優選的是，所述的膜厚監測裝置，其中，所述通孔尺寸與所述第一晶振或第二晶振相對應。

本實用新型的有益效果：本案提供了一種新的鍍膜時膜厚監測裝置，監測裝置的探頭包含兩個晶振，兩個晶振的監測位置相同，本案可精確地監控厚膜層的厚度，從而保證準確完成復雜膜系的鍍膜，提高了產品的良率；同時可以實現復雜膜系厚度的準確監測，而且成本低，方法簡單。

附圖說明

圖1為本實用新型一實施例所述的鍍膜膜厚監測裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型一實施例所述的鍍膜膜厚監測裝置中當第二晶振位于檢測位置時的結構示意圖。

其中，1-擋板，2-通孔，3-第一晶振，4-第二晶振。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。

一種鍍膜膜厚監測裝置，包括：擋板1，設于擋板上的通孔2，第一晶振3，第二晶振4，其中，第一晶振與第二晶振的監測位置相同，通孔處為監測位置，第一晶振在監測位置被鍍膜時，遮擋第二晶振；當第一晶振被鍍膜到一定的厚度后，第一晶振被移離而第二晶振被移到監測位置，對膜厚進行連續監測，從而實現了在同一位置的連續監測。本發明提供的一種新的晶振探測結構，探頭包含兩個晶振，兩個晶振的監測位置相同。首先，本發明可以精確地監控厚膜層的厚度，從而保證準確完成復雜膜系的鍍膜，提高了產品的良率。本發明可以實現復雜膜系厚度的準確監測，而且成本低，方法簡單。

進一步的，所述第一晶振位于第二晶振左側，當第一晶振被鍍膜到一定厚度后，兩個晶振被同時移向左側，第二晶振在通孔處被鍍膜，開始對膜厚進行監測，而第一晶振被遮擋并停止工作。

進一步的，所述通孔尺寸與所述第一晶振或第二晶振相對應，具體為使得整個第一晶振或第二晶振被鍍膜。

如圖1-2所示，利用擋板的通孔作為監測位置，通孔尺寸要保證整個晶振片都可被鍍膜。首先，第一晶振在通孔處被鍍膜，對膜厚進行監測，第二晶振被遮擋住并不工作；當第一晶振被鍍膜到一定厚度后，兩個晶振被同時移向左側，第二晶振在通孔處被鍍膜，開始對膜厚進行監測，而第一晶振被遮擋并停止工作。

盡管本實用新型的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本實用新型的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本實用新型并不限于特定的細節和這里示出與描述的圖例。