[實用新型]一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層

有效

• 申請號: 201521038049.2
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN205376531U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 黃賽琴;林勇;黃國燦;陳輪興
• 申請（專利權）人: 福建安特微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于半導體器件技術領域，具體涉及一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層。

背景技術

對于功率晶體管來說，背面金屬層對它有著至關重要的影響。背面金屬化有對功率晶體管有兩方面的作用，其一是能夠讓較大的電流通過，產生很低的熱量。其二是能夠把功率晶體管在工作過程中集電極所產生的熱量傳導到框架上。因此背面金屬化對功率晶體管在使用過程中的可靠性有著很大的影響。大功率晶體管對背面金屬層的要求要有低的接觸電阻、熱應力小、可靠性好。目前的金屬化層存在著與芯片接觸不好，熱阻較大，影響電流在器件中的分布，破壞器件的穩定性甚至燒毀器件。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層，所述金屬層通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底的表面，所述金屬層由歐姆接觸層、擴散阻擋層、導電層、防氧化層和防焊層組成，所述歐姆接觸層通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底的表面，所述擴散阻擋層通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層的表面，所述導電層通過磁控濺射緊密附著在擴散阻擋層的表面，所述防氧化層通過磁控濺射緊密附著在導電層的表面，所述防焊層通過磁控濺射緊密附著在防氧化層的表面。

本實用新型的技術效果和優點：該高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層由于設置歐姆接觸層，并且歐姆接觸層是由鈦、釩和鉻金屬形成，其與硅的浸潤性好，而且與硅的接觸電阻低而且是低勢壘電勢，較之傳統的鎳鉻合金層使器件的散熱均勻，而且熱阻小；設置的擴散阻擋層，可以防止歐姆接觸層與導電層之間的相互滲透、擴散和反應形成有害的高阻化合物，使得歐姆接觸層與導電層可以各自獨立的行使自己的功能，維持著器件的穩定性，使得器件可以正常的運轉工作。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中：1硅片襯底、2金屬層、21歐姆接觸層、22擴散阻擋層、23導電層、24防氧化層、25防焊層。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

本實用新型提供了如圖1所示的一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層2，所述金屬層2通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底1的表面，所述金屬層2由歐姆接觸層21、擴散阻擋層22、導電層23、防氧化層24和防焊層25組成，所述歐姆接觸層21通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底1的表面，所述歐姆接觸層21是由鈦、釩和鉻金屬形成的接觸層，其與硅的浸潤性好，而且與硅的接觸電阻低而且是低勢壘電勢，較之傳統的鎳鉻合金層使器件的散熱均勻，而且熱阻小，所述擴散阻擋層22通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層21的表面，所述擴散阻擋層22是由鉻和銀金屬形成的阻擋層，可以防止歐姆接觸層21與導電層23之間的相互滲透、擴散和反應形成有害的高阻化合物，使得歐姆接觸層21與導電層23可以各自獨立的行使自己的功能，維持著器件的穩定性，使得器件可以正常的運轉工作，所述導電層23通過磁控濺射緊密附著在擴散阻擋層22的表面，所述防氧化層24通過磁控濺射緊密附著在導電層23的表面，所述防焊層25通過磁控濺射緊密附著在防氧化層24的表面。

最后應說明的是：以上所述僅為本實用新型的優選實施例而已，并不用于限制本實用新型，盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，對于本領域的技術人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換,凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。