[實用新型]一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層

有效

• 申請號: 201521038049.2
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN205376531U
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 黃賽琴;林勇;黃國燦;陳輪興
• 申請（專利權）人: 福建安特微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高可靠功率器件共晶硅背面金屬化層，包括金屬層（2），所述金屬層（2）通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底（1）的表面，其特征在于：所述金屬層（2）由歐姆接觸層（21）、擴散阻擋層（22）、導電層（23）、防氧化層（24）和防焊層（25）組成，所述歐姆接觸層（21）通過磁控濺射緊密附著在硅片襯底（1）的表面，所述擴散阻擋層（22）通過磁控濺射緊密附著在歐姆接觸層（21）的表面，所述導電層（23）通過磁控濺射緊密附著在擴散阻擋層（22）的表面，所述防氧化層（24）通過磁控濺射緊密附著在導電層（23）的表面，所述防焊層（25）通過磁控濺射緊密附著在防氧化層（24）的表面。