[實用新型]瓷封式浪涌保護器

有效

• 申請號: 201521020431.0
• 申請日: 2015-12-09
• 公開（公告）號: CN205159308U
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發明（設計）人: 茅寅松;吳巖
• 申請（專利權）人: 上海安導電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/373;H01L23/495;H01L23/08;H01L23/31
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

技術領域

本實用新型涉及浪涌保護，具體地，涉及一種瓷封式浪涌保護器。

背景技術

傳統的SPD模組因為采用壓敏電阻，故體積較大，且易老化，使用壽命通常只 有一年左右。因此一種半導體器件能夠替換傳統的SPD模組的浪涌保護能力，并且 擁有更低的箝位電壓，不易老化，使用壽命更可以達到幾十年以上。

現有的littlefuse公司所做的AK系列產品，雖然性能上可以達到以上效果， 但是其采用藍粉封裝，缺點為：體積大，散熱差，引腳應力大，無貼片，可靠性效 果極不理想，即振蕩及跌落測試，高溫高濕測試等；且其中藍粉部分材質較脆，厚 度較薄，耐高溫高濕性較差，無法通過IP67等標準。從而需要一種半導體浪涌保 護器能有效的解決掉以上所有的問題。

在傳統工藝的大功率器件物料直接采用芯片疊加的方式進行焊接，容易產生氣 泡空洞，減少了焊接的有效面積，減少了產品的導電導熱性。

實用新型內容

針對現有技術中的缺陷，本實用新型的目的是提供一種瓷封式浪涌保護器。

根據本實用新型提供的瓷封式浪涌保護器，包括外殼、金屬包裹層、半導體芯片 以及框架式焊接結構；

其中，所述包裹層和所述半導體芯片的數量為多個，任意相鄰的所述金屬包裹層之 間均設置有所述半導體芯片構成器件主體；

所述框架式焊接結構包括第一框架式焊接結構和第二框架式焊接結構；所述第一框 架式焊接結構的一端連接設置在所述器件主體一端的一金屬包裹層，第二框架式焊接結 構的一端連接設置在所述器件主體另一端的另一金屬包裹層；

所述包裹層、所述半導體芯片、所述第一框架式焊接結構的一端以及所述第二框架 式焊接結構的一端設置在所述外殼內側。

優選地，所述金屬包裹層采用鍍銀銅粒制成。

優選地，所述半導體芯片包括玻璃鈍化層、第一金屬層、P+區、基區N、N+區、 N++區以及第二金屬層；

其中，所述第一金屬層、所述P+區、所述基區N、所述N++區以及所述第二金 屬層依次排列；

所述N++區的兩端部設置有N+區；所述P+區和所述基區N的兩端設置有玻璃鈍 化層。

優選地，所述外殼、所述框架式焊接結構以及所述器件主體之間采用灌膠的方式封 裝。

優選地，所述外殼采用陶瓷制成。

優選地，所述第一框架式焊接結構和所述第二框架式焊接結構呈Z形。

與現有技術相比，本實用新型具有如下的有益效果：

1、本實用新型中通過金屬包裹層包裹半導體芯片，避免了產品在制作過程中 對半導體芯片不必要的損傷，同時增大了半導體芯片與半導體芯片之間的接觸面積， 增強了產品的導電導熱性；

2、本實用新型設置有框架式焊接結構，能夠減小了腳距，減少了本實用新型 所占用的面積，為PCB板設計提供了方便，減少了PCB板的面積，避免了PCB電路 板資源的浪費，便于實現小型化；

3、本實用新型中框架式焊接結構無彎角設計，避免了因各種外部應力導致的 半導體芯片損傷，不但提高了產品的良率，而且提高了產品長期的可靠性及穩定性；

4、本實用新型中外殼采用陶瓷制成，不但提高了產品的散熱能力，更利于提 高產品的振蕩及跌落等測試效果；

5、本實用新型中外殼、框架式焊接結構以及器件主體之間采采用灌膠式封裝， 與傳統塑封式成型相比，避免了因成型應力導致的半導體芯片損傷，不但提高了產 品的良率，而且提高了產品長期的可靠性及穩定性，與藍粉工藝相比，不但提高了 產品的生產效率，而且提高了產品耐高溫效果和防阻燃效果。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它 特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型中半導體芯片的結構示意圖。

圖中：

1為外殼；

2為金屬包裹層；

3為半導體芯片；

4為框架式焊接結構；

21為玻璃鈍化層；

22為第一金屬層；

23為P+區；

24為基區N；

25為N+區；

26為N++區；

27為第二金屬層。