[實用新型]數(shù)據(jù)接口電路、耗材芯片、耗材盒及成像系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201521010232.1 | 申請日: | 2015-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN205202469U | 公開(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王雄偉;薛茹燕;孫萬里 | 申請(專利權)人: | 珠海艾派克微電子有限公司 |
| 主分類號: | B41J2/175 | 分類號: | B41J2/175;B41J2/135;B41J2/01 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊貝貝;黃健 |
| 地址: | 519075 廣東省珠*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數(shù)據(jù) 接口 電路 耗材 芯片 成像 系統(tǒng) | ||
技術領域
本實用新型涉及打印耗材技術,尤其涉及一種用于耗材芯片的數(shù)據(jù)接口 電路、耗材芯片、耗材盒及成像系統(tǒng)。
背景技術
耗材芯片是設置在打印耗材上用于存儲與打印耗材相關信息的芯片,例 如耗材型號、生產(chǎn)日期、剩余量、打印頁數(shù)等信息,通過從該耗材芯片上讀 取信息,可使打印成像設備識別打印耗材,還可獲知打印耗材的使用狀態(tài)等 信息。打印耗材包括容納碳粉的硒鼓、粉盒或容納墨水的墨盒、打印頭等, 一般也稱之為耗材盒。
在耗材芯片上,一般設置有通信接口,打印成像設備通過該通信接口, 與耗材芯片通信并相互傳輸信息。如圖1所示,目前存在一種耗材芯片,其 具有雙向輸入/輸出的通信接口11。用作輸入端口時,當打印成像設備向通 信接口11輸入一個大于16V的電壓時,表示對芯片進行寫操作;當打印成像 設備向通信接口11輸入一個3.3V的電壓時,表示對芯片進行讀操作。而用 作輸出端口時,當耗材芯片輸出數(shù)據(jù)為1,通信接口11會輸出邏輯低電平(例 如0-1.3V),當耗材芯片輸出數(shù)據(jù)為0時,通信接口11會輸出高阻態(tài),此時, 如果在打印成像設備中將通信接口11連接到上拉電阻,則輸出高電平。
然而,在常規(guī)互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱“CMOS”)工藝中,輸入接口12、輸出接 口13的輸入電壓要求小于5V。為了將COMS工藝應用到適用于上述的打印成 像設備的耗材芯片中,通信接口11需要通過外接獨立的耐高壓的分壓電阻來 判斷輸入信號的電壓,使得打印成像設備輸入24V高壓時,輸入接口12、輸 出接口13接收到的電壓不會大于5V。如圖1所示,在耗材芯片上,設置第 一電阻14和第二電阻15,輸入接口12通過這兩個分壓電阻來判斷輸入信號 的電壓,以判斷其打印成像設備是執(zhí)行寫操作還是讀操作。而耗材芯片需要 對外輸出時,為了適應輸入的高壓,就需要外接耐高壓的三極管16,構成開 漏輸出電路。
這種方案的缺陷是需要在耗材芯片的PCB板上外接電阻、三極管或半導 體MOS管等分立元件,增加成本、無法將芯片體積縮小,而且降低了芯片的 可靠性。
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供一種數(shù)據(jù)接口電路、包含該數(shù)據(jù)接口電路的耗材芯片晶 圓及具有該耗材芯片晶圓的成像系統(tǒng),以解決現(xiàn)有技術中在有限的芯片體積 內(nèi)外接分立電氣元件,占用芯片空間的問題。
本實用新型一個方面提供一種用于耗材芯片的數(shù)據(jù)接口電路,包括:
用于對耗材芯片接收到的輸入電壓進行分壓的輸入分壓電路、過壓保護 電路和開漏輸出電路;
所述輸入分壓電路包括第一分壓電阻和第二分壓電阻;所述第一分壓電 阻與所述第二分壓電阻串聯(lián)連接;所述第一分壓電阻的第一端用于接收數(shù)據(jù) 輸入信號,所述第一分壓電阻的第二端與所述第二分壓電阻的第一端連接; 所述第二分壓電阻的第二端接地;
所述過壓保護電路包括輸入緩沖器和開關管;所述輸入緩沖器的輸入端 連接在所述第一分壓電阻與所述第二分壓電阻之間,用于接收所述輸入分壓 電路的分壓輸出信號,所述輸入緩沖器的輸出端與所述開關管的控制端連接; 所述輸入緩沖器的輸出端用于輸出讀寫識別信號;所述開關管的輸出端接地;
所述開漏輸出電路包括N型金屬-氧化物-半導體NMOS管和第三電阻;所 述第三電阻的第一端與所述第一分壓電阻的第一端連接,所述第三電阻的第 二端分別與所述開關管的輸入端和所述NMOS管的漏極連接;所述NMOS管的 源極接地;所述NMOS管的柵極與所述耗材芯片的片內(nèi)數(shù)據(jù)輸出端連接。
根據(jù)如上所述的數(shù)據(jù)接口電路,可選地,所述第一分壓電阻、所述第二 分壓電阻、所述第三電阻均為多晶硅電阻。
根據(jù)如上所述的數(shù)據(jù)接口電路,可選地,所述第一分壓電阻與所述第二 分壓電阻的電阻值的比值為2:1至10:1。
根據(jù)如上所述的數(shù)據(jù)接口電路,可選地,所述開關管為NMOS管,所述輸 入緩沖器包括兩級的反相器。
根據(jù)如上所述的數(shù)據(jù)接口電路,可選地,所述開關管為PMOS管,所述輸 入緩沖器包括一級的反相器。
根據(jù)如上所述的數(shù)據(jù)接口電路,可選地,所述開關管與所述NMOS管導通 后的源極與漏極之間的電壓與0V之間的偏差在預設范圍內(nèi)。
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