[實用新型]LED芯片封裝結構有效
| 申請號: | 201520997938.5 | 申請日: | 2015-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN205376566U | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 李慶 | 申請(專利權)人: | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215123 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 芯片 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體發光器件技術領域,尤其涉及一種LED芯片封裝結構。
背景技術
發光二極管(Light-EmittingDiode,LED)是一種能發光的半導體電子元件。這種電子元件早在1962年出現,早期只能發出低光度的紅光,之后發展出其他單色光的版本,時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線,光度也提高到相當的光度。而用途也由初時作為指示燈、顯示板等;隨著技術的不斷進步,發光二極管已被廣泛的應用于顯示器、電視機采光裝飾和照明。
LED芯片封裝結構目前分成正裝、倒裝、垂直三種封裝結構,目前正裝封裝結構是最使用最多的。正裝封裝結構的LED芯片在封裝制程里需使用打線(wirebonding)工藝,鑒于正裝封裝結構的LED芯片P電極和N電極同側的特殊性,要求打線過程中焊球和電極結合的面積不要超出芯片制程的預設的MESA線。
隨著LED技術的發展,LED芯片N電極和P電極的面積變得越來越小,打線使用的材料由金線變成了合金線;導致現有打線制程會出現如圖1所示的問題:焊球和N電極結合過程中N電極變形嚴重,會對LED芯片的穩定性造成影響,當N電極變形部分超出MESA線時,會出現LED芯片失效。
因此,針對上述技術問題,有必要提供一種LED芯片封裝結構。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種LED芯片封裝結構及其封裝方法。
為了實現上述目的,本實用新型實施例提供的技術方案如下:
一種LED芯片封裝結構,所述LED芯片包括襯底、N型半導體層、發光層、P型半導體層及N電極和P電極,所述LED芯片上預設有用于進行MESA光刻的MESA線,所述P型半導體層、發光層及部分N型半導體層沿MESA線刻蝕形成有N臺階,所述N臺階上設有支撐平臺,所述N電極包裹所述支撐平臺并與N型半導體層電性連接,所述N電極的上邊緣與MESA線之間的距離大于N電極的下邊緣與MESA線之間的距離,所述N電極上通過焊球與焊接線電性連接。
作為本實用新型的進一步改進,所述N電極的下邊緣邊緣與MESA線之間的距離為5~15μm,N電極的上邊緣與MESA線之間的距離為10~30μm。
作為本實用新型的進一步改進,所述N電極在支撐平臺側邊的厚度為0.5~3μm,所述N電極在支撐平臺上方的厚度為0.5~3μm。
作為本實用新型的進一步改進,所述N電極在支撐平臺上方的厚度與N電極在支撐平臺側邊的厚度相等。
作為本實用新型的進一步改進,所述焊球的面積小于N電極上表面的面積。
作為本實用新型的進一步改進,所述支撐平臺為與N型半導體層絕緣連接或電性導通連接。
本實用新型的有益效果是:
本實用新型通過在N臺階上設置支撐平臺,N電極設于支撐平臺的上方和側邊,支撐平臺能夠有效釋放焊球在N電極上表面的表面應力,減小了焊接時N電極的變形,有效提高了LED器件的穩定性。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術LED芯片上N電極焊接處的電鏡圖。
圖2a為本實用新型一具體實施方式中LED芯片的側面結構示意圖。
圖2b為本實用新型一具體實施方式中LED芯片的俯視結構示意圖。
具體實施方式
為了使本技術領域的人員更好地理解本實用新型中的技術方案,下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都應當屬于本實用新型保護的范圍。
本實用新型公開了一種LED芯片封裝結構,所述LED芯片包括襯底、N型半導體層、發光層、P型半導體層及N電極和P電極,所述LED芯片上預設有用于進行MESA光刻的MESA線,所述P型半導體層、發光層及部分N型半導體層沿MESA線刻蝕形成有N臺階,所述N臺階上設有支撐平臺,所述N電極包裹所述支撐平臺并與N型半導體層電性連接,所述N電極的上邊緣與MESA線之間的距離大于N電極的下邊緣與MESA線之間的距離,所述N電極上通過焊球與焊接線電性連接。
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