[實(shí)用新型]LED芯片封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520997938.5 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN205376566U | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李慶 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/38 | 分類號(hào)： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215123 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，所述LED芯片包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層及N電極和P電極，其特征在于，所述LED芯片上預(yù)設(shè)有用于進(jìn)行MESA光刻的MESA線，所述P型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及部分N型半導(dǎo)體層沿MESA線刻蝕形成有N臺(tái)階，所述N臺(tái)階上設(shè)有支撐平臺(tái)，所述N電極包裹所述支撐平臺(tái)并與N型半導(dǎo)體層電性連接，所述N電極的上邊緣與MESA線之間的距離大于N電極的下邊緣與MESA線之間的距離，所述N電極上通過焊球與焊接線電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N電極的下邊緣邊緣與MESA線之間的距離為5~15μm，N電極的上邊緣與MESA線之間的距離為10~30μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N電極在支撐平臺(tái)側(cè)邊的厚度為0.5~3μm，所述N電極在支撐平臺(tái)上方的厚度為0.5~3μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N電極在支撐平臺(tái)上方的厚度與N電極在支撐平臺(tái)側(cè)邊的厚度相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊球的面積小于N電極上表面的面積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐平臺(tái)為與N型半導(dǎo)體層絕緣連接或電性導(dǎo)通連接。
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