[實用新型]提升材料生長產能和改善均勻性的樣品托盤有效
| 申請號： | 201520997293.5 | 申請日： | 2015-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN205188476U | 公開（公告）日： | 2016-04-27 |
| 發明（設計）人： | 孫錢;嚴威;馮美鑫;楊輝 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提升 材料 生長 產能 改善 均勻 樣品 托盤 | ||
1.一種提升材料生長產能和改善均勻性的樣品托盤，包括樣品托盤本體，其特征在于： 所述樣品托盤本體上端面的選定區域內密集分布有兩個以上第一片槽，而所述樣品托盤本體 上端面上除所述選定區域之外的其余區域內還分布有至少一第二片槽，所述第一片槽的直徑 為4英寸、6英寸或8英寸，所述第二片槽的直徑為2英寸或4英寸，且所述第一片槽的直 徑大于第二片槽的直徑。
2.根據權利要求1所述的樣品托盤，其特征在于：所述樣品托盤本體上端面上分布有兩 個以上第二片槽。
3.根據權利要求1或2所述的樣品托盤，其特征在于：所述第一片槽、第二片槽的片槽 深度為0.2～2mm。
4.根據權利要求1所述的樣品托盤，其特征在于：相鄰兩個第一片槽之間的間隔區域內 分布有至少一個第二片槽。
5.根據權利要求4所述的樣品托盤，其特征在于：相鄰兩個第一片槽之間的間隔區域內 密集分布有兩個以上第二片槽。
6.根據權利要求1所述的樣品托盤，其特征在于：所述樣品托盤本體上端面上離散分布 有兩個以上第二片槽。
7.根據權利要求1所述的樣品托盤，其特征在于：三個以上第一片槽密集排布于所述樣 品托盤本體上端面上并呈圓環形布局。
8.根據權利要求7所述的樣品托盤，其特征在于：至少一個第二片槽分布與該三個以上 第一片槽圍合形成的區域內。
9.根據權利要求1所述的樣品托盤，其特征在于：所述樣品托盤設置在MOCVD、HVPE、 PECVD、ALD或MBE薄膜生長設備內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，未經中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520997293.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
