[實用新型]干刻蝕裝置

有效

• 申請號: 201520996048.2
• 申請日: 2015-12-03
• 公開（公告）號: CN205140926U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 徐巖
• 申請（專利權）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

【技術領域】

本實用新型涉及干刻蝕技術，尤其涉及一種可分區控制刻蝕速率的干刻蝕 裝置。

【背景技術】

干刻蝕是顯示器領域及集成電路領域中十分常用的工藝，其大致原理是通 過將特定氣體置于低壓狀態下施以電壓，使其激發成電漿(Plasma)，對特定 膜層表面加以離子轟擊達到去除膜層的目的，從而在基板上形成需要的圖形。 常見的干刻設備通常包括腔室及位于腔室內的上部電極和下部電極，在干刻過 程中，需要將待刻蝕的基板放置于下部電極上，由下部電極作為基板支撐臺， 刻蝕用的氣體從基板上方通入腔室內。但是，現有干刻設備腔室內的溫度、壓 力、功率等參數都是統一設定的，目的是為了實現對基板表面均勻刻蝕，然而， 這種設備也存在一些不足之處，例如，當基板上產品種類不同時，其對基板的 不同區域所要求的刻蝕速率也不盡相同，顯然，現有的刻蝕設備無法有效精確 控制基板上不同區域的刻蝕速率，從而無法滿足特殊的應用需求。

因此，確有必要提供一種新型干刻蝕裝置來解決上述技術問題。

【實用新型內容】

本實用新型所解決的技術問題在于提供一種干刻蝕裝置，以實現分區控制 基板不同區域刻蝕速率的目的。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種干刻蝕裝置，其包括腔室及位 于腔室內的基板支撐臺和上部電極，所述干刻蝕裝置還包括分布于基板支撐臺 上且彼此相互獨立設置的若干冷卻氣道以及連通所述冷卻氣道的供氣裝置。

作為本技術方案的進一步改進，所述供氣裝置包括氣源及連接于氣源和冷 卻氣道之間的控制裝置，所述控制裝置內包括若干與所述冷卻氣道一一對應連 接的控制單元。

作為本技術方案的進一步改進，所述氣源為氦氣。

作為本技術方案的進一步改進，所述控制單元為流量計，其數量與所述冷 卻氣道的數量相同。

作為本技術方案的進一步改進，所述若干冷卻氣道沿基板支撐臺的周長方 向延伸，且由外向內依次分布。

作為本技術方案的進一步改進，相鄰兩個冷卻氣道構成“回”字型，且外 側的冷卻氣道的長度大于內側的冷卻氣道的長度。

作為本技術方案的進一步改進，所述外側的冷卻氣道寬于所述內側的冷卻 氣道。

作為本技術方案的進一步改進，所述基板支撐臺包括與所述上部電極相對 的下部電極及設置于所述下部電極上的臺板，所述若干冷卻氣道分布于所述臺 板上。

與現有技術相比，本實用新型所述干刻蝕裝置通過在基板支撐臺上分布相 互獨立的冷卻氣道，實現對基板不同區域的工藝溫度進行獨立控制，以達到調 節各區域刻蝕速率的目的。

【附圖說明】

圖1為本實用新型干刻蝕裝置在一種實施例中的結構示意圖。

圖2為本實用新型干刻蝕裝置基板支撐臺與供氣裝置的連接示意圖。

圖3為本實用新型干刻蝕裝置在另一種實施例中基板支撐臺的示意圖。

【具體實施方式】

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新 型具體實施例及相應的附圖對本實用新型技術方案進行清楚、完整地描述。顯 然，所描述的實施例僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基 于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下 所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1所示，本實用新型提供一種干刻蝕裝置100，其包括腔室10、 位于腔室10內的基板支撐臺20和上部電極30、分布于基板支撐臺20上若干 冷卻氣道40、以及連通所述冷卻氣道40的供氣裝置。在本實用新型的一種實 施例中，所述基板支撐臺20呈矩形并設有四個側邊，且基板支撐臺20位于所 述基板200的正下方，所述上部電極30位于基板支撐臺20的正上方并正對所 述基板200，使得基板200位于上部電極30和基板支撐臺20之間。