[實(shí)用新型]一體式晶體掩膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520983398.5
• 申請(qǐng)日: 2015-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN205152315U
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文蘊(yùn);林日樂(lè);林丙濤;董宏奎;謝佳維;滿欣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04
• 代理公司: 重慶信航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50218
• 代理人: 江濤

1.一體式晶體掩膜，其特征在于，包括位于基片上的石英晶體 振蕩器芯片結(jié)構(gòu)，以及與所述石英晶體振蕩器芯片結(jié)構(gòu)同基片，且與 所述石英晶體振蕩器芯片結(jié)構(gòu)同時(shí)制作成形的晶體掩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式晶體掩膜，其特征在于，所述 基片上還設(shè)有用于與其他配套夾具進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)定位的對(duì)準(zhǔn)定位孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式晶體掩膜，其特征在于，所述 晶體掩膜和石英晶體振蕩器芯片結(jié)構(gòu)通過(guò)腐蝕工藝同時(shí)制作成形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式晶體掩膜，其特征在于，所述 一體式晶體掩膜的尺寸制作精度為2-3微米。