[實用新型]一種真空鍍膜設(shè)備的真空室電源穿透密封件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520972551.4 | 申請日: | 2015-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN205188434U | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王紅濤 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市納爾遜科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空鍍膜 設(shè)備 真空 電源 穿透 密封件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及機械設(shè)備領(lǐng)域,具體為一種真空鍍膜設(shè)備的真空室電源穿透密封件。
背景技術(shù)
在真空鍍膜的過程中,真空室里面的部件需要加熱和照明,這就需要把電源引進到真空室里面,這種設(shè)備需要同時滿足3個方面的要求:1.電源不能和真空室導(dǎo)通;2.不能有真空泄漏;3.加熱和照明能夠?qū)崿F(xiàn)單獨控制。目前的設(shè)備很難達到以上要求。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種真空鍍膜設(shè)備的真空室電源穿透密封件,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術(shù)方案:一種真空鍍膜設(shè)備的真空室電源穿透密封件,包括絕緣蓋、絕緣座、安裝座、電極,其特征在于,所述的絕緣蓋設(shè)在絕緣座上方,絕緣座設(shè)在安裝座上方;所述的絕緣蓋、絕緣座和安裝座分別設(shè)有螺栓孔,所述的電極穿過絕緣蓋、絕緣座和安裝座,安裝座上設(shè)有第一密封圈,絕緣座上設(shè)有第二密封圈;所述的螺栓孔均勻設(shè)有四個;所述的電極設(shè)有四個;所述的第一密封圈為O型密封圈,所述的第二密封圈為O型密封圈。
本實用新型的有益效果在于,能夠?qū)崿F(xiàn)電源不與真空室導(dǎo)通,真空不會泄露,同時加熱和照明能夠?qū)崿F(xiàn)單獨控制,具有非常好的市場前景。
附圖說明
圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實用新型俯視圖結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:1-絕緣蓋、2-螺栓孔、3-絕緣座、4-安裝座、5-電極、6-第一密封圈、7-第二密封圈。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
一種真空鍍膜設(shè)備的真空室電源穿透密封件,包括絕緣蓋1、絕緣座3、安裝座4、電極5,其特征在于,所述的絕緣蓋1設(shè)在絕緣座3上方,絕緣座3設(shè)在安裝座4上方;所述的絕緣蓋1、絕緣座3和安裝座4分別設(shè)有螺栓孔2,所述的電極5穿過絕緣蓋1、絕緣座3和安裝座4,安裝座4上設(shè)有第一密封圈6,絕緣座3上設(shè)有第二密封圈7;所述的螺栓孔2均勻設(shè)有四個;所述的電極5設(shè)有四個;優(yōu)選的,所述的第一密封圈6為O型密封圈,所述的第二密封圈7為O型密封圈。
安裝座4焊接在真空室上,絕緣座3通過螺栓與安裝座4固定連接,絕緣座3與安裝座4之間靠第一密封圈6密封,2組4個通道電極5通過螺栓與絕緣座3固定,用第二密封圈7使其密封,絕緣蓋1是為了防止電極外露所引發(fā)觸電而設(shè)計。這樣就實現(xiàn)了,兩條火線,兩條零線共兩組電源引入真空室的目的。
本實用新型的有益效果在于,能夠?qū)崿F(xiàn)電源不與真空室導(dǎo)通,真空不會泄露,同時加熱和照明能夠?qū)崿F(xiàn)單獨控制,具有非常好的市場前景。
盡管已經(jīng)示出和描述了本實用新型的實施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型,本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市納爾遜科技有限公司,未經(jīng)深圳市納爾遜科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201520972551.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





