[實用新型]一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板

有效

• 申請號: 201520957291.3
• 申請日: 2015-11-26
• 公開（公告）號: CN205122585U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 吳炳剛;齊鳳波;侯宏程;韋心平
• 申請（專利權）人: 沈陽飛達電子有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 侯蔚寰

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，具體的是一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板。

背景技術

通常，集成電路包含形成在基板上的NMOS(η型金屬-氧化物-半導體)晶體管和PMOS(P型金屬-氧化物-半導體）晶體管的組合。集成電路的性能與其所包含的晶體管的性能有直接關系。因此，希望提高晶體管的驅動電流以增強其性能。

美國專利申請No.20100038685Α公開了一種晶體管，在該晶體管的溝道區與源/漏區之間形成位錯，這種位錯產生拉應力，該拉應力提高了溝道中的電子遷移率，由此晶體管的驅動電流得以增加。對已經形成了柵極電介質和柵極的半導體基板進行硅注入，從而形成非晶區域。對該半導體基板進行退火，使得非晶區域再結晶，在再結晶過程中，水平方向和豎直方向上的兩個不同的晶體生長前端相遇，從而形成了位錯。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了解決上述問題，提出一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板。

一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板，所述晶體管陣列板包括基板以及形成在基板上的第一導電層；第一導電層上的第一柵極絕緣層；第一柵極絕緣層上的半導體層；至少部分形成在該半導體層上且包括相互隔開的數據線和漏極電極的第二導電層，該第二導電層包括阻擋金屬構成的下部膜和Al或Al合金構成的上部膜；覆蓋該半導體層的鈍化層；以及形成在該第二導電層之上并與第二導電層接觸的第三導電層，其中，至少該上部膜的一邊緣位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三導電層接觸下部膜的該第一部分；上部膜的邊緣橫貫下部膜；鈍化層具有至少部分露出下部膜的該第一部分的接觸孔；第三導電層的至少一部分位于鈍化層上；以及上部膜的該至少一邊緣不與接觸孔的邊界重合；鈍化層接觸接觸孔附近的下部膜；下部膜包含Cr、Mo或Mo合金；還包括位于半導體層與第二導電層之間的歐姆接觸層；歐姆接觸層具有與第二導電層基本相同的平面形狀；半導體層的邊界或者與第二導電層的邊界大致重合，或者位于第二導電層之外；第三導電層包括ITO或IZO。

所述陣列板還包括設置在基板上的數據線；所述數據線與第一柵極線相交，所述第一柵極線包括柵電極；所述第一柵極絕緣層，設置在柵極線上并具有暴露所述數據線的接觸孔；所述鈍化層設置在半導體層上；進一步包括設置在所述半導體層和所述鈍化層之間的絕緣體層；還包括層間絕緣層，該層間絕緣層設置在數據線和柵極線之間；第三導電層包括接觸漏極電極的像素電極；鈍化層具有用于漏極電極與像素電極之間的接觸的第一接觸孔、露出第一導電層的一部分的第二接觸孔、以及露出數據線的一部分的第三接觸孔，并且第三導電層包括通過第二接觸孔接觸第一導電層的第一接觸輔助部分、以及通過第三接觸孔接觸數據線的第二接觸輔助部分；第二導電層的第一部分不平坦。

所述晶體管陣列板還包括陶瓷金屬化管底座、金屬蓋板，其中金屬蓋板與陶瓷金屬化外殼封裝構成管殼，在管殼上設置扁平外引線，在陶瓷金屬化管底座上均設有八部分獨立且平行排列的金屬化區域，將八個硅整流二極管芯片通過導電膠分別粘接在對應的金屬化區域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內部部分進行電氣連接，管殼腔體內部采用AB膠進行填充。

所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復合而成，所述基板由外而內共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3mm。

附圖說明

圖1是根據本實用新型的一個實施例的一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板的橫截面示意圖；

圖2是基板的結構示意圖。

其中，1是基板；2是第一導電層；3是第二導電層；4是半導體層；5是歐姆接觸層；6是第三導電層；7是一柵極絕緣層；11是硅層、12是氮化硅層、13是碳化硅層、14是碳層、15是氧化鋁基體層。

具體實施方式