[實用新型]一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520957291.3
• 申請日: 2015-11-26
• 公開（公告）號: CN205122585U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳炳剛;齊鳳波;侯宏程;韋心平
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽飛達電子有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 侯蔚寰

1.一種金屬陶瓷表貼封裝晶體管陣列板，其特征在于：所述晶體管陣列板包括基板以及形成在基板上的第一導(dǎo)電層；第一導(dǎo)電層上的第一柵極絕緣層；第一柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；至少部分形成在該半導(dǎo)體層上且包括相互隔開的數(shù)據(jù)線和漏極電極的第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層包括阻擋金屬構(gòu)成的下部膜和Al或Al合金構(gòu)成的上部膜；覆蓋該半導(dǎo)體層的鈍化層；以及形成在該第二導(dǎo)電層之上并與第二導(dǎo)電層接觸的第三導(dǎo)電層，其中，至少該上部膜的一邊緣位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三導(dǎo)電層接觸下部膜的該第一部分；上部膜的邊緣橫貫下部膜；鈍化層具有至少部分露出下部膜的該第一部分的接觸孔；第三導(dǎo)電層的至少一部分位于鈍化層上；以及上部膜的該至少一邊緣不與接觸孔的邊界重合；鈍化層接觸接觸孔附近的下部膜；下部膜包含Cr、Mo或Mo合金；還包括位于半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電層之間的歐姆接觸層；歐姆接觸層具有與第二導(dǎo)電層基本相同的平面形狀；半導(dǎo)體層的邊界或者與第二導(dǎo)電層的邊界大致重合，或者位于第二導(dǎo)電層之外；第三導(dǎo)電層包括ITO或IZO。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列板，其特征在于：所述陣列板還包括設(shè)置在基板上的數(shù)據(jù)線；所述數(shù)據(jù)線與第一柵極線相交，所述第一柵極線包括柵電極；所述第一柵極絕緣層，設(shè)置在柵極線上并具有暴露所述數(shù)據(jù)線的接觸孔；所述鈍化層設(shè)置在半導(dǎo)體層上；進一步包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層和所述鈍化層之間的絕緣體層；還包括層間絕緣層，該層間絕緣層設(shè)置在數(shù)據(jù)線和柵極線之間；第三導(dǎo)電層包括接觸漏極電極的像素電極；鈍化層具有用于漏極電極與像素電極之間的接觸的第一接觸孔、露出第一導(dǎo)電層的一部分的第二接觸孔、以及露出數(shù)據(jù)線的一部分的第三接觸孔，并且第三導(dǎo)電層包括通過第二接觸孔接觸第一導(dǎo)電層的第一接觸輔助部分、以及通過第三接觸孔接觸數(shù)據(jù)線的第二接觸輔助部分；第二導(dǎo)電層的第一部分不平坦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列板，其特征在于：所述晶體管陣列板還包括陶瓷金屬化管底座、金屬蓋板，其中金屬蓋板與陶瓷金屬化外殼封裝構(gòu)成管殼，在管殼上設(shè)置扁平外引線，在陶瓷金屬化管底座上均設(shè)有八部分獨立且平行排列的金屬化區(qū)域，將八個硅整流二極管芯片通過導(dǎo)電膠分別粘接在對應(yīng)的金屬化區(qū)域上，用硅鋁絲將硅整流二極管芯片與外引線的管殼腔體內(nèi)部部分進行電氣連接，管殼腔體內(nèi)部采用AB膠進行填充。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列板，其特征在于：所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化鋁和硅復(fù)合而成，所述基板由外而內(nèi)共有5層，分別是硅層、氮化硅層、碳化硅層、碳層和氧化鋁基體層，每層的厚度為0.5-3mm。