[實用新型]集成電路

有效

• 申請號: 201520951130.3
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN205140992U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: S·德努爾梅;P·康德利耶
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L27/105
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;呂世磊

1.一種集成電路，其特征在于，包括具有位于埋設絕緣層(30) 上方的半導體薄膜(20n,p)的、絕緣體上硅類型的襯底(10)，包括 MOS電容器(C)的一次性可編程類型的至少一個存儲器單元，所述 MOS電容器具有：包括至少部分地硅化(ZSE1)并且由絕緣橫向區 域(CI1、CI2、CI4和CI5)側接的柵極區域(G)的第一電極區域(E1)， 位于所述柵極區域(G)和所述半導體薄膜(20n和20p)之間的電介 質層(OX)，以及包括位于所述絕緣橫向區域(CI1、CI2、CI4和 CI5)旁邊并至少部分地在電介質層(OX)之下延伸的所述半導體薄 膜的硅化區域(ZSE2)的第二電極區域(E2)。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述半導體 薄膜的所述硅化區域(ZSE2)完全延伸在所述電介質層(OX)之下。

3.根據權利要求1或2所述的集成電路，其特征在于，進一步 包括，具有抬升源極和漏極區域(RSn或RSp)的至少一個MOS晶 體管(TN或TP)。

4.根據權利要求1或2所述的集成電路，其特征在于，所述襯 底(10)是完全耗盡絕緣體上硅類型。