[實用新型]一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架

有效

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• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN205171016U
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 陸海鳳;柯尊斌;秦瑤;席珍強
• 申請（專利權）人: 中鍺科技有限公司;南京中鍺科技有限責任公司
• 主分類號: C30B29/08
• 分類號: C30B29/08;C30B15/10
• 代理公司: 北京天平專利商標代理有限公司 11239
• 代理人: 繆友菊

技術領域

本實用新型涉及懸浮坩堝技術領域，具體涉及一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架。

背景技術

目前的懸浮坩堝采用的支架為固定支架，固定支架上部懸掛于大堝之上，下部將懸浮堝套在其中以穩(wěn)定懸浮坩堝。固定支架能夠很好地穩(wěn)定懸浮坩堝的位置，但是由于在實際拉晶的過程中，隨著鍺溶液液面的下降，懸浮坩堝隨之下降，而固定支架位置不變，這樣存在兩點問題：一是隨著液面下降，懸浮坩堝有可能脫離支架，二是破壞爐內系統(tǒng)的熱場平衡，導致單晶出現(xiàn)位錯。

發(fā)明內容

發(fā)明目的：針對現(xiàn)有技術的不足，本實用新型提供一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，能夠控制懸浮坩堝內的鍺熔體深度及懸浮坩堝內的熱場平衡。

技術方案：本實用新型所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，所述支架本體呈環(huán)形凹槽結構，所述支架本體設于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個卡位結構與大堝接觸以保持穩(wěn)定。支架本體通過凹槽與懸浮坩堝相連，通過卡位結構與大堝保持接觸以保持相對位置穩(wěn)定，即起到了穩(wěn)定懸浮坩堝的作用，又能夠控制懸浮坩堝內的鍺熔體深度及懸浮坩堝內的熱場平衡。

進一步完善上述技術方案，所述支架本體的環(huán)形凹槽結構包括外圍壁、形成在外圍壁內的凹槽以及凹槽中心的中空圓。

進一步地，所述外圍壁內徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，所述凹槽高度為4mm，所述中空圓直徑為330mm。

進一步地，所述卡位機構為四個，均勻設置在所述環(huán)形凹槽外圍。

進一步地，所述卡位機構包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。

進一步地，所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm。

進一步地，所述半圓塊的半徑為25mm。

有益效果：與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的優(yōu)點：通過本實用新型，支架本體與懸浮坩堝上沿直接相連后，實際上成為懸浮坩堝的配重裝置，通過控制支架本體的重量，在設計熱場時可以更加自由地設計懸浮坩堝的熔體深度和界面形狀，拉出零位錯鍺單晶的成功率也大大提高；支架本體和懸浮坩堝直接相連后，拉晶過程中隨著液面的下降，支架本體隨著懸浮坩堝一起下降，這樣可以保證懸浮坩堝內的熱場在拉晶全程幾乎都能保持穩(wěn)定和平衡，可以使單晶拉的更長，合格部分更長（由以前的10cm至現(xiàn)在的60cm）。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型沿圖1中AOB向的結構示意圖。

圖3為本實用新型與大堝、懸浮坩堝的連接示意圖。

具體實施方式

下面通過附圖對本實用新型技術方案進行詳細說明。

實施例1：如圖1、2所示的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，包括支架本體1，支架本體1呈環(huán)形凹槽結構，支架本體1的環(huán)形凹槽結構包括外圍壁2、形成在外圍壁內的凹槽1以及凹槽中心的中空圓5；外圍壁2的內徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，凹槽1的高度為4mm，中空圓5直徑為330mm?？ㄎ粰C構包括與支架本體相連的矩形塊3以及與矩形塊3相連的半圓塊4，矩形塊3與支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm，半圓塊4的半徑為25mm。

如圖3所示，支架本體1設于懸浮坩堝2上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝2的上沿，環(huán)形凹槽外圍均勻突出四個卡位結構與大堝3固定以保持相對位置固定。太陽能鍺單晶的生長條件極其苛刻，通過設置支架本體1，在拉晶的過程中，隨著鍺溶液液面的下降，支架本體1和懸浮坩堝2一起降低，不存在脫離的風險，控制了懸浮坩堝2內的鍺熔體深度，保證了單晶拉制過程中熱場的穩(wěn)定。

如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經表示和表述了本實用新型，但其不得解釋為對本實用新型自身的限制。在不脫離所附權利要求定義的本實用新型的精神和范圍前提下，可對其在形式上和細節(jié)上作出各種變化。