[實(shí)用新型]一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520949982.9 | 申請日： | 2015-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN205171016U | 公開（公告）日： | 2016-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陸海鳳;柯尊斌;秦瑤;席珍強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 中鍺科技有限公司;南京中鍺科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C30B29/08 | 分類號： | C30B29/08;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京天平專利商標(biāo)代理有限公司 11239 | 代理人： | 繆友菊 |
| 地址： | 211299 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽能 鍺單晶 生長 懸浮 坩堝 支架 | ||
1.一種太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，包括支架本體，其特征在于：所述支架本體呈環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)，所述支架本體設(shè)于懸浮坩堝上部、通過凹槽卡緊懸浮坩堝的上沿，所述環(huán)形凹槽外圍突出若干個(gè)卡位結(jié)構(gòu)與大堝接觸以保持穩(wěn)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述支架本體的環(huán)形凹槽結(jié)構(gòu)包括外圍壁、形成在外圍壁內(nèi)的凹槽以及凹槽中心的中空圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述外圍壁內(nèi)徑為370mm、外徑為380mm、高度為8mm，所述凹槽高度為4mm，所述中空圓直徑為330mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述卡位機(jī)構(gòu)為四個(gè)，均勻設(shè)置在所述環(huán)形凹槽外圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述卡位機(jī)構(gòu)包括與所述支架本體相連的矩形塊以及與矩形塊相連的半圓塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述矩形塊與所述支架本體連接處呈弧面，弧面半徑為10mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能鍺單晶生長用懸浮坩堝支架，其特征在于：所述半圓塊的半徑為25mm。
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