[實(shí)用新型]集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520946630.8
• 申請(qǐng)日: 2015-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN205194698U
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·帕加尼;A·莫塔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路領(lǐng)域，并且更特別地涉及包括半導(dǎo)體電 阻器的集成電路。

背景技術(shù)

在例如硅的半導(dǎo)體襯底上的經(jīng)擴(kuò)散或注入的電阻器可能由于壓 電電阻率現(xiàn)象而對(duì)機(jī)械應(yīng)力敏感。因此，在集成電路(IC)中的增加 的應(yīng)力可能導(dǎo)致電參數(shù)的增加的變化，而且會(huì)發(fā)生功能故障。例如， 硅和封裝材料的導(dǎo)熱系數(shù)的差異可能是引起幾何變形的內(nèi)部應(yīng)力的 來源。此外，封裝工藝和IC的封裝體可能是IC上的應(yīng)力的來源。

美國專利第7,437,260號(hào)公開了使用由一系列P摻雜電阻器和N 摻雜電阻器組成的半導(dǎo)體電阻器的特定布局，每個(gè)都是L形，而且其 中非常精確的所選固定比率可以理論地消除在給定溫度下的平面應(yīng) 力依賴性。一般來說，該所選固定縮放比率取決于溫度和摻雜濃度。 然而，由于半導(dǎo)體制造工藝中的易變性，可能存在電阻器失配，而且 比率不可能非常精確，而必須根據(jù)溫度修改。事實(shí)上，N摻雜和P摻 雜工藝是兩個(gè)受易變性影響的不同的且連續(xù)的操作，所以不能實(shí)現(xiàn)非 常精確的縮放比率。

因而，由于在IC的工作時(shí)間期間的制造工藝易變性和溫度變化， 可能特別需要獲得對(duì)于縮放因子/比率的增強(qiáng)控制，以減小/消除平面 應(yīng)力靈敏度。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就在于，提供一種改進(jìn)的集成電路，以克服上 述現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

集成電路可包括：半導(dǎo)體襯底，以及半導(dǎo)體電阻器。半導(dǎo)體電阻 器可包括在半導(dǎo)體襯底中并具有第一導(dǎo)電性類型的阱、在阱中具有L 形并具有第二導(dǎo)電性類型的第一電阻性區(qū)域、以及與第一電阻性區(qū)域 相關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)元件。IC還可包括在半導(dǎo)體襯底上的電阻補(bǔ)償電路。電 阻補(bǔ)償電路可以被配置為測(cè)量第一電阻性區(qū)域的初始電阻，并基于測(cè) 得的初始電阻在調(diào)節(jié)元件處產(chǎn)生電壓，以調(diào)節(jié)第一電阻性區(qū)域的工作 電阻。因此，應(yīng)力例如平面應(yīng)力可以被減小。

半導(dǎo)體電阻器還可包括在半導(dǎo)體襯底中的第二電阻性區(qū)域，例 如，該第二電阻性區(qū)域鄰近阱，具有第一導(dǎo)電性類型，具有L形，并 耦合到第一電阻性區(qū)域。IC還可包括被耦合在第一電阻性區(qū)域與第二 電阻性區(qū)域之間的測(cè)試元件。

調(diào)節(jié)元件可包括在第二電阻性區(qū)域的至少一部分之上的絕緣層 以及在絕緣層之上的導(dǎo)電層。例如，調(diào)節(jié)元件可包括在第一電阻性區(qū) 域的至少一部分之上的絕緣層以及在絕緣層之上的導(dǎo)電層。調(diào)節(jié)元件 還可包括在阱中的摻雜區(qū)域以及被耦合到摻雜區(qū)域的接觸件，該摻雜 區(qū)域具有第一導(dǎo)電性類型并具有比阱更高的摻雜濃度。

IC還可包括在半導(dǎo)體襯底上并耦合到電阻補(bǔ)償電路的溫度傳感 器。例如，電阻補(bǔ)償電路可以被配置為基于溫度傳感器在調(diào)節(jié)元件處 產(chǎn)生電壓。

電阻補(bǔ)償電路可包括處理器以及耦合到處理器的存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器 可以被配置為存儲(chǔ)至少一個(gè)電阻補(bǔ)償值。例如，第一電阻性區(qū)域可具 有蜿蜒的形狀。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種集成電路，包括：半導(dǎo)體 襯底；半導(dǎo)體電阻器，包括在所述半導(dǎo)體襯底中并具有第一導(dǎo)電性類 型的阱，在所述阱中具有L形和第二導(dǎo)電性類型的第一電阻性區(qū)域， 以及與所述第一電阻性區(qū)域相關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)元件；以及電阻補(bǔ)償電路， 在所述半導(dǎo)體襯底上并且被配置為測(cè)量所述第一電阻性區(qū)域的初始 電阻，以及基于測(cè)得的初始電阻在所述調(diào)節(jié)元件處產(chǎn)生電壓，以調(diào)節(jié) 所述第一電阻性區(qū)域的工作電阻。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，提供一種集成電路，包括：半導(dǎo) 體襯底；多個(gè)半導(dǎo)體電阻器，每個(gè)半導(dǎo)體電阻器包括在所述半導(dǎo)體襯 底中并具有第一導(dǎo)電性類型的阱，在所述阱中具有L形和第二導(dǎo)電性 類型的第一電阻性區(qū)域，以及與所述第一電阻性區(qū)域相關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)元 件；以及溫度傳感器，在所述半導(dǎo)體襯底上；電阻補(bǔ)償電路，在所述 半導(dǎo)體襯底上并被耦合至所述溫度傳感器，所述電阻補(bǔ)償電路被配置 為測(cè)量每個(gè)第一電阻性區(qū)域的初始電阻，以及基于測(cè)得的初始電阻和 所述溫度傳感器在所述調(diào)節(jié)元件處產(chǎn)生電壓，以調(diào)節(jié)每個(gè)第一電阻性 區(qū)域的工作電阻。

根據(jù)本實(shí)用新型的方案，可以提供一種能夠減小/消除平面應(yīng)力影 響的改進(jìn)的集成電路。

附圖說明

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的IC的示意性框圖。

圖2是圖1的IC的示例性半導(dǎo)體電阻器的平面視圖。

圖3是圖2沿線3-1的半導(dǎo)體電阻器的示意截面圖。