[實用新型]集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520946630.8 | 申請日： | 2015-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN205194698U | 公開（公告）日： | 2016-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·帕加尼;A·莫塔 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;董典紅 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國省代碼： | 意大利;IT |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 | ||
1.一種集成電路，包括：
半導(dǎo)體襯底；
半導(dǎo)體電阻器，包括
在所述半導(dǎo)體襯底中并具有第一導(dǎo)電性類型的阱，
在所述阱中具有L形和第二導(dǎo)電性類型的第一電阻性區(qū)域，以 及
與所述第一電阻性區(qū)域相關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)元件；以及
電阻補(bǔ)償電路，在所述半導(dǎo)體襯底上并且被配置為
測量所述第一電阻性區(qū)域的初始電阻，以及
基于測得的初始電阻在所述調(diào)節(jié)元件處產(chǎn)生電壓，以調(diào)節(jié)所述 第一電阻性區(qū)域的工作電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述半導(dǎo)體電阻器進(jìn)一步 包括在所述半導(dǎo)體襯底中的第二電阻性區(qū)域，所述第二電阻性區(qū)域鄰近 所述阱、具有所述第一導(dǎo)電性類型、具有L形并且被耦合到所述第一電 阻性區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，進(jìn)一步包括測試元件，所述測 試元件被耦合在所述第一電阻性區(qū)域和所述第二電阻性區(qū)域之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路，其中所述調(diào)節(jié)元件包括：
在所述第二電阻性區(qū)域的至少一部分之上的絕緣層；以及
在所述絕緣層之上的導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述調(diào)節(jié)元件包括：
在所述第一電阻性區(qū)域的至少一部分之上的絕緣層；以及
在所述絕緣層之上的導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述調(diào)節(jié)元件包括：
在所述阱中的摻雜區(qū)域，所述摻雜區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電性類型并 具有比所述阱更高的摻雜濃度；以及
被耦合到所述摻雜區(qū)域的接觸件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體襯底 上并且被耦合到所述電阻補(bǔ)償電路的溫度傳感器；并且其中所述電阻補(bǔ) 償電路被配置為基于所述溫度傳感器在所述調(diào)節(jié)元件處產(chǎn)生所述電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述電阻補(bǔ)償電路包括處 理器和與所述處理器耦合的存儲器；其中所述存儲器被配置為存儲至少 一個電阻補(bǔ)償值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一電阻性區(qū)域具有 蜿蜒的形狀。
10.一種集成電路，包括：
半導(dǎo)體襯底；
多個半導(dǎo)體電阻器，每個半導(dǎo)體電阻器包括
在所述半導(dǎo)體襯底中并具有第一導(dǎo)電性類型的阱，
在所述阱中具有L形和第二導(dǎo)電性類型的第一電阻性區(qū)域，以 及
與所述第一電阻性區(qū)域相關(guān)聯(lián)的調(diào)節(jié)元件；以及
溫度傳感器，在所述半導(dǎo)體襯底上；
電阻補(bǔ)償電路，在所述半導(dǎo)體襯底上并被耦合至所述溫度傳感器， 所述電阻補(bǔ)償電路被配置為
測量每個第一電阻性區(qū)域的初始電阻，以及
基于測得的初始電阻和所述溫度傳感器在所述調(diào)節(jié)元件處產(chǎn) 生電壓，以調(diào)節(jié)每個第一電阻性區(qū)域的工作電阻。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中所述多個半導(dǎo)體電阻器 中的每一個半導(dǎo)體電阻器進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體襯底中的第二電阻 性區(qū)域，所述第二電阻性區(qū)域鄰近所述阱、具有所述第一導(dǎo)電性類型、 具有L形并且被耦合到所述第一電阻性區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，進(jìn)一步包括測試元件，所述 測試元件被耦合在所述第一電阻性區(qū)域和所述第二電阻性區(qū)域之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述調(diào)節(jié)元件包括：
在所述第二電阻性區(qū)域的至少一部分之上的絕緣層；以及
在所述絕緣層之上的導(dǎo)電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中所述調(diào)節(jié)元件包括：
在所述第一電阻性區(qū)域的至少一部分之上的絕緣層；以及
在所述絕緣層之上的導(dǎo)電層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
