[實用新型]一種集成陣列式汽車大燈LED芯片

有效

• 申請號: 201520921398.2
• 申請日: 2015-11-18
• 公開（公告）號: CN205140984U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 張偉;孫智江;賈辰宇;夏健;沙東升
• 申請（專利權）人: 海迪科(南通)光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

技術領域

本實用型新涉及芯片制造領域，特別涉及一種集成陣列式汽車大燈LED芯片。

背景技術

LED作為一種新型的光源，具有節能、環保、壽命長、可靠性高等特點，已被廣泛應用于各種領域，例如，在汽車領域中，越來越多的廠家采用LED作為汽車燈的光源，將LED芯片應用于汽車燈時，由于單顆LED芯片功率小，不能達到汽車燈的照明要求，通常的做法：將多顆LED芯片集成封裝在COB光源支架上做成COB光源，再將COB光源安裝在LED汽車燈的燈柱上。

目前的汽車大燈LED芯片結構中，均是采用若干單顆芯粒粘貼在IC基板上進而串聯成一個36V的微燈帶，然后分別在大燈的不同區域配置相應數量的微燈帶，以便形成汽車大燈所需的各功能LED燈。其缺點在于：該結構從芯粒制作至大燈成品，整個制作工序繁瑣，效率低，且定位時精度要求高，不良率較大。

實用型新內容

本實用型新要解決的技術問題是提供一種提高芯片制作效率和不良率的集成陣列式汽車大燈LED芯片。

為解決上述技術問題，本實用型新的技術方案為：一種集成陣列式汽車大燈LED芯片，其創新點在于：包括一IC印刷電路基板，該IC印刷電路基板自左向右依次劃分為左轉區、遠近光區和右轉區，遠近光區分為上遠光區和下近光區；所述左轉區、上遠光區、下近光區和右轉區分別具有一個獨立的且可與多個單顆芯粒連接實現串聯的區域串聯電路；一單晶片，該單晶片包括藍寶石襯底、外延N型GaN層、量子阱層、外延P型GaN層、ITO導電層、銀反射鏡層、P電極和N電極，所述藍寶石襯底表面自下而上依次生長外延N型GaN層、量子阱層和外延P型GaN層，所述外延P型GaN層的上表面自下而上依次蒸鍍有ITO導電層和銀反射鏡層；所述單晶片上刻蝕有若干道自銀反射鏡層向下延伸至藍寶石襯底上表面的隔離槽，所述各隔離槽將單晶片分隔成若干個獨立的單顆芯粒，并在各單顆芯粒的銀反射鏡層上蒸鍍P電極，在各單顆芯粒的芯粒邊緣刻蝕有一從銀反射鏡層自上而下依次延伸至外延N型GaN層的電極槽，在電極槽內蒸鍍與P電極齊平的N電極；所述單晶片倒裝在IC印刷電路基板表面，且各單個芯粒分別對應貼合在IC印刷電路基板上的各區域串聯電路中。

優選的，所述IC印刷電路基板的左轉區印刷有一個左轉區域串聯電路，該左轉區域串聯電路具有6×2個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；右轉區印刷有一個右轉區域串聯電路，該右轉區域串聯電路具有6×2個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；上遠光區印刷有一個上遠光區域串聯電路，該上遠光區域串聯電路具有3×4個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；下近光區印刷有一個下近光區域串聯電路，該下近光區域串聯電路具有3×4個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；所述各隔離槽將芯片分隔成48個互不導通的單顆芯粒，且各單顆芯粒的P電極、N電極分布分別對應左轉區域串聯電路、右轉區域串聯電路、上遠光區域串聯電路和下近光區域串聯電路的芯片正負極引腳。

優選的，所述單顆芯粒的電壓為3V，電流為350mA。

本實用型新的優點在于：

本實用型新的汽車大燈LED芯片采用集成陣列式布局，其采用一個整片的藍寶石襯底上生長外延層，并通過蝕刻出的隔離槽將其分隔成多個單顆芯粒；同時，利用IC印刷電路基板自帶的多區域串聯電路與單晶片的各芯粒貼合，直接將整個單晶片制成具有多個獨立LED發光模組的芯片；本實用型新中的結構在進行印刷電路與芯粒的貼合時無需裂片，效率高且不易錯位，良品率得到大幅提升，用戶在后期使用維護中可直接整個更換，維護更加方便快捷。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用型新作進一步詳細的說明。

圖1是本實用型新集成陣列式汽車大燈LED芯片中IC印刷電路基板的結構示意圖。

圖2是本實用型新集成陣列式汽車大燈LED芯片中單晶片的結構示意圖。

圖3是圖2中各顆芯粒在單晶片上的排列圖。

具體實施方式

下面的實施例可以使本專業的技術人員更全面地理解本實用型新，但并不因此將本實用型新限制在所述的實施例范圍之中。

實施例

本實施例集成陣列式汽車大燈LED芯片，包括一IC印刷電路基板和一單晶片。

如圖1所示，IC印刷電路基板自左向右依次劃分為左轉區1、遠近光區和右轉區4，遠近光區分為上遠光區2和下近光區3；