[實用新型]一種集成陣列式汽車大燈LED芯片

有效

• 申請號: 201520921398.2
• 申請日: 2015-11-18
• 公開（公告）號: CN205140984U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發明（設計）人: 張偉;孫智江;賈辰宇;夏健;沙東升
• 申請（專利權）人: 海迪科(南通)光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種集成陣列式汽車大燈LED芯片，其特征在于：包括

一IC印刷電路基板，該IC印刷電路基板自左向右依次劃分為左轉區、遠近光區和右轉區，遠近光區分為上遠光區和下近光區；所述左轉區、上遠光區、下近光區和右轉區分別具有一個獨立的且可與多個單顆芯粒連接實現串聯的區域串聯電路；

一單晶片，該單晶片包括藍寶石襯底、外延N型GaN層、量子阱層、外延P型GaN層、ITO導電層、銀反射鏡層、P電極和N電極，所述藍寶石襯底表面自下而上依次生長外延N型GaN層、量子阱層和外延P型GaN層，所述外延P型GaN層的上表面自下而上依次蒸鍍有ITO導電層和銀反射鏡層；所述單晶片上刻蝕有若干道自銀反射鏡層向下延伸至藍寶石襯底上表面的隔離槽，所述各隔離槽將單晶片分隔成若干個獨立的單顆芯粒，并在各單顆芯粒的銀反射鏡層上蒸鍍P電極，在各單顆芯粒的芯粒邊緣刻蝕有一從銀反射鏡層自上而下依次延伸至外延N型GaN層的電極槽，在電極槽內蒸鍍與P電極齊平的N電極；

所述單晶片倒裝在IC印刷電路基板表面，且各單個芯粒分別對應貼合在IC印刷電路基板上的各區域串聯電路中。

2.根據權利要求1所述的集成陣列式汽車大燈LED芯片，其特征在于：

所述IC印刷電路基板的左轉區印刷有一個左轉區域串聯電路，該左轉區域串聯電路具有6×2個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；右轉區印刷有一個右轉區域串聯電路，該右轉區域串聯電路具有6×2個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；上遠光區印刷有一個上遠光區域串聯電路，該上遠光區域串聯電路具有3×4個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；下近光區印刷有一個下近光區域串聯電路，該下近光區域串聯電路具有3×4個呈矩陣排列的芯片正負極引腳；

所述各隔離槽將芯片分隔成48個互不導通的單顆芯粒，且各單顆芯粒的P電極、N電極分布分別對應左轉區域串聯電路、右轉區域串聯電路、上遠光區域串聯電路和下近光區域串聯電路的芯片正負極引腳。

3.根據權利要求1或2所述的集成陣列式汽車大燈LED芯片，其特征在于：所述單顆芯粒的電壓為3V，電流為350mA。