[實(shí)用新型]固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520845546.7
• 申請(qǐng)日: 2015-10-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN205211601U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高良民;黃俊嘉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鈺邦電子（無(wú)錫）有限公司
• 主分類號(hào): H01G9/15
• 分類號(hào): H01G9/15;H01G9/10;H01G9/08
• 代理公司: 北京中恒高博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11249
• 代理人: 姜萬(wàn)林

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型系有關(guān)于一種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤指一種用于電子產(chǎn)品的固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

電容器已廣泛地被使用于消費(fèi)性家電用品、計(jì)算機(jī)主板及其周邊、電源供應(yīng)器、通訊產(chǎn)品、及汽車等之基本組件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉(zhuǎn)相等。是電子產(chǎn)品中不可缺少的組件之一。電容器依照不同的材質(zhì)及用途，有不同的型態(tài)。包括鋁質(zhì)電解電容、鉭質(zhì)電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。

習(xí)知技術(shù)中，固態(tài)電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優(yōu)越等優(yōu)點(diǎn)，而可使用于中央處理器之電源電路的解耦合作用上。如圖1所示，一般而言，習(xí)知堆棧式固態(tài)電解電容器100包括多個(gè)電容單元10，其中每一電容單元10包括正極部P及負(fù)極部N。電容單元10的負(fù)極部N彼此堆棧，且藉由在相鄰的電容單元10之間設(shè)置導(dǎo)電膠材11，以使多個(gè)電容單元10之間彼此電性連接而形成電容器總成1。于圖1中，電容單元10為芯片型固態(tài)電容器。另外，電容器總成1中，每一電容單元10之正極部P前端皆延伸形成正極接腳12，正極接腳12彎折并一同焊接于一正極引腳13以達(dá)成電性連接。電容單元10之負(fù)極部N則電性連接至一負(fù)極引腳14。一般更利用合成樹(shù)脂等材料包覆上述電容器總成1、正極接腳12，以及部分的正極引腳13及負(fù)極引腳14而形成一封裝體15，以形成一固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)100。因此，正極引腳13包括位于該封裝體15之內(nèi)的內(nèi)埋部131及一位于該封裝體15之外的裸露部132，負(fù)極引腳14包括位于該封裝體15之內(nèi)的內(nèi)埋部141及一位于該封裝體15之外的裸露部142。裸露部141及142可被進(jìn)一步彎折以與其他組件達(dá)成電性連接。

然而，在形成封裝體15的過(guò)程中，由于用于形成封裝體15的合成樹(shù)脂與電容器總成1中各組件的材料之熱膨脹系數(shù)不同，可能有無(wú)法達(dá)成緊密封裝，或封裝過(guò)程產(chǎn)生缺陷或微縫隙等缺點(diǎn)。特別是，針對(duì)電容器總成1是由芯片型電容器所組成的固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)100，由于其通常是使用環(huán)氧樹(shù)脂與有機(jī)物，例如硅砂的組成物及鋁箔等親水性材料來(lái)制造，在使用過(guò)程中更容易因吸濕而導(dǎo)致使用壽命縮短。如此一來(lái)，先前技術(shù)可能無(wú)法達(dá)成具有優(yōu)良?xì)饷苄浴⑺苄缘墓虘B(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)100，而使固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)100在使用時(shí)有短路或漏電流等問(wèn)題，進(jìn)而縮短其使用壽命。因此，如何改善上述無(wú)法緊密封裝之問(wèn)題，將是相關(guān)業(yè)界亟待努力之課題。

緣是，本實(shí)用新型人有感于上述缺失之可改善，乃特潛心研究并配合學(xué)理之運(yùn)用，終于提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述缺失之本實(shí)用新型。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的制造方法用于解決上述問(wèn)題。

一種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，該固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)包括一電容器總成、至少一電性連接該電容器總成的電極引腳以及一包覆該電容器總成及至少一該電極引腳的一部分的封裝體，且至少一該電極引腳具有一位于該封裝體之內(nèi)的內(nèi)埋部及一位于該封裝體之外的裸露部，該固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包含：

進(jìn)行一前處理步驟，形成一電極引腳保護(hù)膜以包覆至少一該電極引腳的該裸露部；

進(jìn)行一鍍膜步驟，以形成一滲入且密封該固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)中的納米薄膜；以及進(jìn)行一后處理步驟，去除該電極引腳保護(hù)膜。

優(yōu)選地，該納米薄膜是由聚對(duì)甲苯(Parylene)所形成。

優(yōu)選地,該鍍膜步驟更進(jìn)一步包括：

加熱對(duì)二甲苯二聚物以使其氣化；

高溫裂解經(jīng)氣化后的對(duì)二甲苯二聚物，以生成二甲苯單體；以及

沉積二甲苯單體于該固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)上，其中該二甲苯單體在沉積過(guò)程中發(fā)生聚合，以形成由聚對(duì)甲苯所形成的該納米薄膜。

優(yōu)選地,該沉積步驟是使用一真空氣相沉積設(shè)備在室溫下進(jìn)行的。

優(yōu)選地,該納米薄膜具有一厚度，且該厚度是少于1微米。

優(yōu)選地,該電容器總成包括多個(gè)依序堆棧的芯片型電容器或一卷繞型電容器。

優(yōu)選地,該固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)的該微結(jié)構(gòu)包括：該封裝體在制程過(guò)程中所形成的微孔洞及微縫隙以及位于該至少一電極引腳與該封裝體之間的微縫隙。

一種固態(tài)電解電容器封裝結(jié)構(gòu)，包括：

一電容器總成；

至少一電極引腳，其電性連接該電容器總成；