[實用新型]半導體設備零組件

有效

• 申請號: 201520845120.1
• 申請日: 2015-10-28
• 公開（公告）號: CN205122557U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 李澄盛
• 申請（專利權）人: 世平科技(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

【技術領域】

本實用新型涉及一種半導體設備零組件，特別是涉及一種涉及可用于熔射處理的半導體設備零組件。

【背景技術】

在半導體制程中，必須定期或不定期地對半導體制程設備的零件進行清洗及再生，以維持半導體制程設備的效能，并可延長設備的使用壽命。

以物理氣相沉積制程為例，物理氣相沉積制程主要是在一基板上沉積一薄膜。首先利用一直流電源分別電性耦接至一背板及一遮覆板，通過該背板及該遮覆板于該反應室腔體內形成電場將離子槍束擊向金屬靶材。在離子槍束撞擊靶材后，會將該靶材上的金屬濺射在該基板上而形成該薄膜。

通常，物理氣相沉積之反應室腔體在使用一段時間后，會在反應室腔體中該遮覆板及母材的表面形成金屬鍍膜，因此必須對反應室腔體進行洗凈與再生，防止金屬鍍膜破裂或剝落所產生之微塵粒子散布至該基板而影響良率。所謂洗凈系指針對反應室腔體中該遮覆板及該母材之金屬鍍膜的材質選用適當之方法與材料予以去除，例如以酸性或堿性之化學溶液浸泡反應室腔體，將形成于遮覆板及母材表面之金屬鍍膜溶解分離。所謂再生是指洗凈后再以噴砂及整形等方式恢復該遮覆板及母材原有外形與表面特性。然而上述洗凈及再生皆會侵蝕與損耗反應室腔體中遮覆板及母材的本體厚度，造成使用壽命減短。

此外，對于反應室腔中的螺絲孔，例如鎖固于該母材之間之螺絲孔，上述以化學溶液浸泡反應室腔體、對該遮覆板及該母材噴砂及整形等步驟會使螺絲孔產生擴孔現象，因此在多次進行洗凈及再生后，會造成螺絲孔尺寸與原先尺寸有所差異，導致螺絲孔與螺絲在組合時誤差過大而使得鎖固功能不佳甚至無法繼續使用。

并且，由于在前述洗凈等過程中，必須使用大量的酸性或堿性之化學溶液，浸泡遮覆板及母材，以溶解金屬鍍膜，使其與遮覆板及母材分離。由于不可避免地必須使用大量的酸性或堿性之化學溶液，因而在洗凈的過程中，必須使用大量的清水來沖洗半導體制程的零件。

【實用新型內容】

本實用新型的主要目的在于提供一種半導體設備零組件，所述半導體設備零組件包括：

零組件本體；

多個凸狀部，形成于所述零組件本體上；

耐熱膠帶，包覆于所述多個凸狀部上，以避免熔射處理影響所述多個凸狀部的表面。

在一實施例中，所述耐熱膠帶更包覆于零組件本體的其他結構上，以避免熔射處理的影響。

相較于現有的熔射設備的問題，在進行熔射處理時，可利用本實施例的熔射設備來進行熔射處理，由于操作人員可位于密閉隔間的外面來進行操作，因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。再者，本實施例的半導體設備零組件可利用耐熱膠帶來包覆的凸狀部，以避免熔射處理影響多個凸狀部的表面。

為讓本實用新型的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下：

【附圖說明】

圖1及2為本實用新型的半導體設備零組件的一實施例的示意圖；以及

圖3為本實用新型的熔射設備的一實施例的示意圖。

【具體實施方式】

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本實用新型可用以實施的特定實施例。本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。

附圖和說明被認為在本質上是示出性的，而不是限制性的。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。另外，為了理解和便于描述，附圖中示出的每個組件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本實用新型不限于此。

在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區域等的厚度。在附圖中，為了理解和便于描述，夸大了一些層和區域的厚度。將理解的是，當例如層、膜、區域或基底的組件被稱作“在”另一組件“上”時，所述組件可以直接在所述另一組件上，或者也可以存在中間組件。

另外，在說明書中，除非明確地描述為相反的，否則詞語“包括”將被理解為意指包括所述組件，但是不排除任何其它組件。此外，在說明書中，“在......上”意指位于目標組件上方或者下方，而不意指必須位于基于重力方向的頂部上。