[實(shí)用新型]半導(dǎo)體設(shè)備零組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520845120.1
• 申請(qǐng)日: 2015-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN205122557U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李澄盛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世平科技(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/02
• 分類號(hào): H01L23/02
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

【技術(shù)領(lǐng)域】

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備零組件，特別是涉及一種涉及可用于熔射處理的半導(dǎo)體設(shè)備零組件。

【背景技術(shù)】

在半導(dǎo)體制程中，必須定期或不定期地對(duì)半導(dǎo)體制程設(shè)備的零件進(jìn)行清洗及再生，以維持半導(dǎo)體制程設(shè)備的效能，并可延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

以物理氣相沉積制程為例，物理氣相沉積制程主要是在一基板上沉積一薄膜。首先利用一直流電源分別電性耦接至一背板及一遮覆板，通過該背板及該遮覆板于該反應(yīng)室腔體內(nèi)形成電場(chǎng)將離子槍束擊向金屬靶材。在離子槍束撞擊靶材后，會(huì)將該靶材上的金屬濺射在該基板上而形成該薄膜。

通常，物理氣相沉積之反應(yīng)室腔體在使用一段時(shí)間后，會(huì)在反應(yīng)室腔體中該遮覆板及母材的表面形成金屬鍍膜，因此必須對(duì)反應(yīng)室腔體進(jìn)行洗凈與再生，防止金屬鍍膜破裂或剝落所產(chǎn)生之微塵粒子散布至該基板而影響良率。所謂洗凈系指針對(duì)反應(yīng)室腔體中該遮覆板及該母材之金屬鍍膜的材質(zhì)選用適當(dāng)之方法與材料予以去除，例如以酸性或堿性之化學(xué)溶液浸泡反應(yīng)室腔體，將形成于遮覆板及母材表面之金屬鍍膜溶解分離。所謂再生是指洗凈后再以噴砂及整形等方式恢復(fù)該遮覆板及母材原有外形與表面特性。然而上述洗凈及再生皆會(huì)侵蝕與損耗反應(yīng)室腔體中遮覆板及母材的本體厚度，造成使用壽命減短。

此外，對(duì)于反應(yīng)室腔中的螺絲孔，例如鎖固于該母材之間之螺絲孔，上述以化學(xué)溶液浸泡反應(yīng)室腔體、對(duì)該遮覆板及該母材噴砂及整形等步驟會(huì)使螺絲孔產(chǎn)生擴(kuò)孔現(xiàn)象，因此在多次進(jìn)行洗凈及再生后，會(huì)造成螺絲孔尺寸與原先尺寸有所差異，導(dǎo)致螺絲孔與螺絲在組合時(shí)誤差過大而使得鎖固功能不佳甚至無法繼續(xù)使用。

并且，由于在前述洗凈等過程中，必須使用大量的酸性或堿性之化學(xué)溶液，浸泡遮覆板及母材，以溶解金屬鍍膜，使其與遮覆板及母材分離。由于不可避免地必須使用大量的酸性或堿性之化學(xué)溶液，因而在洗凈的過程中，必須使用大量的清水來沖洗半導(dǎo)體制程的零件。

【實(shí)用新型內(nèi)容】

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體設(shè)備零組件，所述半導(dǎo)體設(shè)備零組件包括：

零組件本體；

多個(gè)凸?fàn)畈浚纬捎谒隽憬M件本體上；

耐熱膠帶，包覆于所述多個(gè)凸?fàn)畈可希员苊馊凵涮幚碛绊懰龆鄠€(gè)凸?fàn)畈康谋砻妗?/p>

在一實(shí)施例中，所述耐熱膠帶更包覆于零組件本體的其他結(jié)構(gòu)上，以避免熔射處理的影響。

相較于現(xiàn)有的熔射設(shè)備的問題，在進(jìn)行熔射處理時(shí)，可利用本實(shí)施例的熔射設(shè)備來進(jìn)行熔射處理，由于操作人員可位于密閉隔間的外面來進(jìn)行操作，因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。再者，本實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備零組件可利用耐熱膠帶來包覆的凸?fàn)畈浚员苊馊凵涮幚碛绊懚鄠€(gè)凸?fàn)畈康谋砻妗?/p>

為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

【附圖說明】

圖1及2為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體設(shè)備零組件的一實(shí)施例的示意圖；以及

圖3為本實(shí)用新型的熔射設(shè)備的一實(shí)施例的示意圖。

【具體實(shí)施方式】

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本實(shí)用新型可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本實(shí)用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實(shí)用新型，而非用以限制本實(shí)用新型。

附圖和說明被認(rèn)為在本質(zhì)上是示出性的，而不是限制性的。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。另外，為了理解和便于描述，附圖中示出的每個(gè)組件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本實(shí)用新型不限于此。

在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中，為了理解和便于描述，夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是，當(dāng)例如層、膜、區(qū)域或基底的組件被稱作“在”另一組件“上”時(shí)，所述組件可以直接在所述另一組件上，或者也可以存在中間組件。

另外，在說明書中，除非明確地描述為相反的，否則詞語“包括”將被理解為意指包括所述組件，但是不排除任何其它組件。此外，在說明書中，“在......上”意指位于目標(biāo)組件上方或者下方，而不意指必須位于基于重力方向的頂部上。