[實(shí)用新型]半導(dǎo)體設(shè)備零組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520845120.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-10-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN205122557U | 公開(公告)日: | 2016-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李澄盛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 世平科技(深圳)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/02 | 分類號(hào): | H01L23/02 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518106 廣東省深圳市光明新區(qū)公明辦*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體設(shè)備 零組件 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備零組件,特別是涉及一種涉及可用于熔射處理的半導(dǎo)體設(shè)備零組件。
【背景技術(shù)】
在半導(dǎo)體制程中,必須定期或不定期地對(duì)半導(dǎo)體制程設(shè)備的零件進(jìn)行清洗及再生,以維持半導(dǎo)體制程設(shè)備的效能,并可延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
以物理氣相沉積制程為例,物理氣相沉積制程主要是在一基板上沉積一薄膜。首先利用一直流電源分別電性耦接至一背板及一遮覆板,通過該背板及該遮覆板于該反應(yīng)室腔體內(nèi)形成電場(chǎng)將離子槍束擊向金屬靶材。在離子槍束撞擊靶材后,會(huì)將該靶材上的金屬濺射在該基板上而形成該薄膜。
通常,物理氣相沉積之反應(yīng)室腔體在使用一段時(shí)間后,會(huì)在反應(yīng)室腔體中該遮覆板及母材的表面形成金屬鍍膜,因此必須對(duì)反應(yīng)室腔體進(jìn)行洗凈與再生,防止金屬鍍膜破裂或剝落所產(chǎn)生之微塵粒子散布至該基板而影響良率。所謂洗凈系指針對(duì)反應(yīng)室腔體中該遮覆板及該母材之金屬鍍膜的材質(zhì)選用適當(dāng)之方法與材料予以去除,例如以酸性或堿性之化學(xué)溶液浸泡反應(yīng)室腔體,將形成于遮覆板及母材表面之金屬鍍膜溶解分離。所謂再生是指洗凈后再以噴砂及整形等方式恢復(fù)該遮覆板及母材原有外形與表面特性。然而上述洗凈及再生皆會(huì)侵蝕與損耗反應(yīng)室腔體中遮覆板及母材的本體厚度,造成使用壽命減短。
此外,對(duì)于反應(yīng)室腔中的螺絲孔,例如鎖固于該母材之間之螺絲孔,上述以化學(xué)溶液浸泡反應(yīng)室腔體、對(duì)該遮覆板及該母材噴砂及整形等步驟會(huì)使螺絲孔產(chǎn)生擴(kuò)孔現(xiàn)象,因此在多次進(jìn)行洗凈及再生后,會(huì)造成螺絲孔尺寸與原先尺寸有所差異,導(dǎo)致螺絲孔與螺絲在組合時(shí)誤差過大而使得鎖固功能不佳甚至無法繼續(xù)使用。
并且,由于在前述洗凈等過程中,必須使用大量的酸性或堿性之化學(xué)溶液,浸泡遮覆板及母材,以溶解金屬鍍膜,使其與遮覆板及母材分離。由于不可避免地必須使用大量的酸性或堿性之化學(xué)溶液,因而在洗凈的過程中,必須使用大量的清水來沖洗半導(dǎo)體制程的零件。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體設(shè)備零組件,所述半導(dǎo)體設(shè)備零組件包括:
零組件本體;
多個(gè)凸?fàn)畈浚纬捎谒隽憬M件本體上;
耐熱膠帶,包覆于所述多個(gè)凸?fàn)畈可希员苊馊凵涮幚碛绊懰龆鄠€(gè)凸?fàn)畈康谋砻妗?/p>
在一實(shí)施例中,所述耐熱膠帶更包覆于零組件本體的其他結(jié)構(gòu)上,以避免熔射處理的影響。
相較于現(xiàn)有的熔射設(shè)備的問題,在進(jìn)行熔射處理時(shí),可利用本實(shí)施例的熔射設(shè)備來進(jìn)行熔射處理,由于操作人員可位于密閉隔間的外面來進(jìn)行操作,因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。再者,本實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備零組件可利用耐熱膠帶來包覆的凸?fàn)畈浚员苊馊凵涮幚碛绊懚鄠€(gè)凸?fàn)畈康谋砻妗?/p>
為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說明如下:
【附圖說明】
圖1及2為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體設(shè)備零組件的一實(shí)施例的示意圖;以及
圖3為本實(shí)用新型的熔射設(shè)備的一實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式,用以例示本實(shí)用新型可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本實(shí)用新型所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本實(shí)用新型,而非用以限制本實(shí)用新型。
附圖和說明被認(rèn)為在本質(zhì)上是示出性的,而不是限制性的。在圖中,結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。另外,為了理解和便于描述,附圖中示出的每個(gè)組件的尺寸和厚度是任意示出的,但是本實(shí)用新型不限于此。
在附圖中,為了清晰起見,夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中,為了理解和便于描述,夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是,當(dāng)例如層、膜、區(qū)域或基底的組件被稱作“在”另一組件“上”時(shí),所述組件可以直接在所述另一組件上,或者也可以存在中間組件。
另外,在說明書中,除非明確地描述為相反的,否則詞語“包括”將被理解為意指包括所述組件,但是不排除任何其它組件。此外,在說明書中,“在......上”意指位于目標(biāo)組件上方或者下方,而不意指必須位于基于重力方向的頂部上。
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