[實用新型]一種高透太陽能電池防濕膜

有效

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• 申請日: 2015-10-28
• 公開（公告）號: CN205177863U
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發(fā)明（設計）人: 李偉明;藍銀鋒
• 申請（專利權）人: 汕頭市東通光電材料有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048
• 代理公司: 北京精金石專利代理事務所(普通合伙) 11470
• 代理人: 劉曄

技術領域

本實用新型屬于薄膜材料領域，特別涉及一種高透太陽能電池防濕膜。

背景技術

太陽能電池又稱為“太陽能芯片”或“光電池”，是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導體薄片。它只要被光照到，瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產生電流。太陽能電池由于所使用的光電轉換層的材料多為高分子材料，可使用一些簡單的形成方法例如涂布法或者噴墨法來制作光電轉換層，因此開始獲得產業(yè)界的重視。

有機太陽能電池雖然具備很多優(yōu)點，但是其所使用的有機光電轉換材料卻對水氣相當敏感，因此通常在使用一段時間后會因為水氣的滲入而使其使用壽命變短或者使用效率降低。因此，急需一種阻隔水氣入侵的防濕膜，同時防濕膜的使用不得妨礙太陽光的透射。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種高透太陽能電池防濕膜，本高透太陽能電池防濕膜利用氧化層組阻隔水氣的同時具備增強陽光透射的效果，能夠大大延長太陽能電池的使用壽命。

為實現(xiàn)上述技術方案，本實用新型提供了一種高透太陽能電池防濕膜，主要包括有：基材層、氧化物層組、中間光學膜層、介電質層和紫外光吸收層，所述氧化物層組包括氧化鈦層和碳化硅層，所述氧化鈦層位于基材層的上表面，所述碳化硅層位于氧化鈦層上表面，所述中間光學膜層位于碳化硅層上表面，所述介電質層位于中間光學膜層的上表面，所述紫外光吸收層位于基材層的下表面。

在上述技術方案中，所述基材層為可彈性彎折的聚對苯二甲酸乙二醇酯層。

在上述技術方案中，所述中間光學膜層為碳氧化硅層、氮氧化硅層或碳氮氧化硅層。

在上述技術方案中，所述基材層的厚度為50μm~125μm。

在上述技術方案中，所述氧化鈦層的厚度為10nm~20nm。

在上述技術方案中，所述碳化硅層的厚度為20nm~25nm。

在上述技術方案中，所述中間光學膜層的厚度為15nm~25nm。

在上述技術方案中，所述介電質層的厚度為50nm~100nm。

在上述技術方案中，所述紫外光吸收層的厚度為30nm~50nm。

本實用新型相較于現(xiàn)有技術的有益效果在于：本實用新型提供的高透太陽能電池防濕膜利用氧化物層組作為阻水層，大大簡化了現(xiàn)有技術中復雜的防水膜層結構，同時設置中間光學膜層增強陽光的透射率，另外設置介電質層和紫外光吸收層能夠增強太陽能電池對光的吸收。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖中：10-基材層，20-氧化物層組，21-氧化鈦層，22-碳化硅層，30-中間光學膜層，40-介電質層，50-紫外光吸收層。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。本領域普通人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，均屬于本實用新型的保護范圍。

實施例1：一種高透太陽能電池防濕膜。

參照圖1所示，本實施例提供的高透太陽能電池防濕膜，主要包括有：基材層10、氧化物層組20、中間光學膜層30、介電質層40和紫外光吸收層50，所述氧化物層組20包括氧化鈦層21和碳化硅層22，所述氧化鈦層21位于基材層10的上表面，所述碳化硅層22位于氧化鈦層21上表面，所述中間光學膜層30位于碳化硅層22上表面，所述介電質層40位于中間光學膜層30的上表面，所述紫外光吸收層50位于基材層10的下表面。

本實施例中，所述基材層10為可彈性彎折的聚對苯二甲酸乙二醇酯層。

本實施例中，所述中間光學膜層30為氮氧化硅層。

本實施例中，所述基材層10的厚度為60μm。

本實施例中，所述氧化鈦層21的厚度為12nm。

本實施例中，所述碳化硅層22的厚度為25nm。

本實施例中，所述中間光學膜層30的厚度為18nm。

本實施例中，所述介電質層40的厚度為80nm。

本實施例中，所述紫外光吸收層50的厚度為30nm。

為了進一步解釋本實用新型的構造特征、運用技術手段及所預期達成的功效，特將本實用新型的使用方式描述如下：