[實用新型]一種高透太陽能電池防濕膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520841685.2 | 申請日: | 2015-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN205177863U | 公開(公告)日: | 2016-04-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李偉明;藍銀鋒 | 申請(專利權)人: | 汕頭市東通光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京精金石專利代理事務所(普通合伙) 11470 | 代理人: | 劉曄 |
| 地址: | 515071 廣東省汕頭市濠江區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 防濕 | ||
1.一種高透太陽能電池防濕膜,其特征在于主要包括有:基材層、氧化物層組、中間光學膜層、介電質層和紫外光吸收層,所述氧化物層組包括氧化鈦層和碳化硅層,所述氧化鈦層位于基材層的上表面,所述碳化硅層位于氧化鈦層上表面,所述中間光學膜層位于碳化硅層上表面,所述介電質層位于中間光學膜層的上表面,所述紫外光吸收層位于基材層的下表面。
2.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述中間光學膜層為碳氧化硅層、氮氧化硅層或碳氮氧化硅層。
3.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述基材層為可彈性彎折的聚對苯二甲酸乙二醇酯層。
4.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述基材層的厚度為50μm~125μm。
5.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述氧化鈦層的厚度為10nm~20nm。
6.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述碳化硅層的厚度為20nm~25nm。
7.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述中間光學膜層的厚度為15nm~25nm。
8.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述介電質層的厚度為50nm~100nm。
9.如權利要求1所述的高透太陽能電池防濕膜,其特征在于:所述紫外光吸收層的厚度為30nm~50nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





