[實用新型]一種區熔氣摻單晶用吹氣線圈

有效

• 申請號: 201520811485.2
• 申請日: 2015-10-19
• 公開（公告）號: CN205115662U
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 韓暐;王遵義;婁中士;孫昊;楊旭洲;涂頌昊;劉錚;張雪囡;王彥君;由佰玲
• 申請（專利權）人: 天津市環歐半導體材料技術有限公司
• 主分類號: C30B13/12
• 分類號: C30B13/12;C30B29/06
• 代理公司: 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211
• 代理人: 陳雅潔

技術領域

本實用新型屬于區熔硅單晶領域，尤其是涉及一種區熔氣摻單晶用吹氣線圈。

背景技術

區熔硅單晶是制作電力電子器件的主要原材料。區熔硅單晶具有少子壽命高、晶體晶格損傷小、生產周期短及生產成本低等特點。隨著現代社會電子信息及光伏產業的發展，對硅晶體的完美性和電學參數的高均勻性提出了更高的要求。區熔硅單晶制備過程中，摻入一定量的電活性雜質可將高純度多晶硅原料制成具有一定電學性質的摻雜硅單晶。區熔硅單晶的摻雜方法有多晶沉積法硅芯摻雜法、溶液涂敷摻雜法、棒孔摻雜法、中子嬗變摻雜法(NTD)和氣相摻雜法等。其中，使用最廣泛的方法是氣相摻雜法占全球各類區熔硅單晶總量的80％。但現有的氣相摻雜單晶在摻雜均勻性的重復一致性方面還有一定的問題，效率不高，亟需提高硅單晶電參數的控制水平。

發明內容

本實用新型要解決的問題是提供一種區熔氣摻單晶用吹氣線圈，提高氣相摻雜的效率和氣相摻雜單晶摻雜均勻性的重復性。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：一種區熔氣摻單晶用吹氣線圈，包括線圈和吹氣氣路，所述線圈為中心帶有線圈眼的圓環形結構，上表面設置有一個向所述線圈內部凹陷的環狀臺階，所述臺階上為平面，所述臺階底部一端與所述線圈內圓上邊沿連接成向下傾斜的斜面，所述線圈下表面為向線圈中心上方傾斜的斜面，所述吹氣氣路從外側水平穿入，經過所述線圈的下半部分，從其傾斜的下表面穿出。

優選地，所述線圈上開有以所述線圈眼為中心的貫通上下表面的十字切縫，其中一個切縫延伸至所述線圈外，與連接電極的法蘭連接。

優選地，還包括冷卻水管，所述冷卻水管嵌入所述線圈的骨架內。

優選地，所述冷卻水管在所述線圈內呈環狀分布。

優選地，所述線圈為單匝平板結構。

本實用新型具有的優點和積極效果是：由于采用上述技術方案，提供一種區熔硅單晶氣相摻雜的摻雜線圈，提高氣相摻雜的效率和氣相摻雜單晶摻雜均勻性的重復性；在生產過程中，通過線圈氣路局部摻雜，提高了氣體的有效利用和摻雜效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型的俯視圖；

圖2是本實用新型的截面處。

圖中：

1、線圈2、冷卻水管3、吹氣氣路4、法蘭

11、線圈眼12、十字切縫

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本實用新型，但是本實用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本實用新型內涵的情況下做類似推廣，因此本實用新型不受下面公開的具體實施例的限制。

其次，本實用新型結合示意圖進行詳細描述，在詳述本實用新型實施例時，為便于說明，表示裝置件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本實用新型保護的范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及高度的三維空間尺寸。

如圖1和圖2所示，本實用新型包括單匝平板結構的線圈1、冷卻水管2和吹氣氣路3，所述冷卻水管2嵌入所述線圈1的骨架內呈環狀分布，所述線圈1為中心帶有線圈眼11的圓環形結構，上表面設置有一個向線圈1內部凹陷的環狀臺階，所述臺階上為平面，所述臺階底部一端與所述線圈1內圓上邊沿連接成向下傾斜的斜面，所述線圈1下表面為向線圈中心上方傾斜的斜面。所述吹氣氣路3從外側水平穿入，經過所述線圈1的下半部分，從其下表面穿出，是在線圈1內部預留的通摻雜氣的氣路。所述線圈1上開有以所述線圈眼11為中心的貫通上下表面的十字切縫12，沿順時針方向分別為第一切縫、第二切縫、第三切縫和第四切縫，所述第一切縫延伸至所述線圈1外，與連接電極的法蘭4連接。