[實用新型]一種高效晶硅太陽能電池有效
| 申請號： | 201520792590.6 | 申請日： | 2015-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN205104495U | 公開（公告）日： | 2016-03-23 |
| 發明（設計）人： | 方結彬;秦崇德;石強;黃玉平;何達能;陳剛 | 申請（專利權）人： | 廣東愛康太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 佛山市中迪知識產權代理事務所(普通合伙) 44283 | 代理人： | 張伶俐 |
| 地址： | 528100 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高效 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，包括正電極、N型硅、P型硅襯底、鋁背場和背電極，N型硅、P型硅襯底和鋁背場自上而下依次層疊式設置，其特征在于：所述P型硅襯底上下表面均為拋光面，N型硅上表面層疊有氧化層和減反膜，氧化層位于N型硅與減反膜之間，氧化層表面為絨面。
2.如權利要求1所述一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，所述氧化層表面為針狀絨面。
3.如權利要求1所述一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，所述氧化層為二氧化硅。
4.如權利要求1所述一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，所述減反膜為氮化硅膜。
5.如權利要求4所述一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅膜的折射率為2.0-2.5。
6.如權利要求4所述一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度為50nm-200nm。
7.如權利要求4所述一種高效晶硅太陽能電池，其特征在于，所述氮化硅膜由PEVCD設備制成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
