[實用新型]一種C波段高增益全向天線微帶三維版圖拓撲架構有效
| 申請號: | 201520779209.2 | 申請日: | 2015-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN205050991U | 公開(公告)日: | 2016-02-24 |
| 發明(設計)人: | 嚴忠;黃華東;程鋒利;孫春芳;謝海軍;劉寧川;劉藏鋒;蔣國棟;鄭龍 | 申請(專利權)人: | 武漢中元通信股份有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 武漢開元知識產權代理有限公司 42104 | 代理人: | 樊戎 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 波段 增益 全向天線 微帶 三維 版圖 拓撲 架構 | ||
1.一種C波段高增益全向天線微帶三維版圖拓撲架構,包括有1個全向天線支撐架(1)和1張微帶PCB雙面板(2),全向天線支撐架(1)與微帶PCB雙面板(2),通過設置有安裝定位孔h1、安裝定位孔h2,并經鉚釘(3)緊密銜接,相結合構成一個疊層式模塊化結構整體,其特征是:
所述微帶PCB雙面板(2),上面設置又有上微帶饋電印制線(21)和上微帶半波振子印制線(22);
所述微帶PCB雙面板(2),下面設置又有下微帶饋電印制線(23)、下微帶半波振子印制線(24)和敷銅帶(25)。
2.如權利要求1所述的C波段高增益全向天線微帶三維版圖拓撲架構,其特征是:
所述上微帶饋電印制線(21)和下微帶饋電印制線(23)的連接部分彎曲處設置為切角過渡,且切角邊長小于相應位置微帶印制線寬度的一半,用以減小阻抗不連續性,提高全向天線的整體性能。
3.如權利要求1所述的C波段高增益全向天線微帶三維版圖拓撲架構,其特征是:
所述上微帶饋電印制線(21)和下微帶饋電印制線(23)的微帶印制線切角次數為19處,用以減少阻抗不連續性,提高全向天線的整體性能。
4.如權利要求1所述的C波段高增益全向天線微帶三維版圖拓撲架構,其特征是:
所述上微帶饋電印制線(21),又包括有阻抗匹配單元(211)、輻射單元(212)、180度移相單元(213)、180度移相單元(214)和180度移相單元(215);阻抗匹配單元(211),引出用作全向天線整體的輸入端口。
5.如權利要求1所述的C波段高增益全向天線微帶三維版圖拓撲架構,其特征是:
所述下微帶饋電印制線(23),又包括有阻抗匹配單元(231)、輻射單元(232)、180度移相單元(233)、180度移相單元(234)和180度移相單元(235);阻抗匹配單元(231),引出用作全向天線整體的輸入端口。
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