[實(shí)用新型]微型貼裝整流半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520774280.1
• 申請(qǐng)日: 2015-10-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204966487U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-01-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張雄杰;何洪運(yùn);程琳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/48
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種整流半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種微型貼裝整流半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

整流器是由四個(gè)整流二極管組成的一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，它利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫?duì)交流電進(jìn)行整流，由于橋式整流器對(duì)輸入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是對(duì)二極管半波整流的一種顯著改進(jìn)，故被廣泛應(yīng)用于交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。

一方面，現(xiàn)有雙列疊片式結(jié)構(gòu)整流器，生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，易操作。但是每顆二極管晶粒所在的支撐片平整度互相影響造成生產(chǎn)制程中產(chǎn)品內(nèi)部應(yīng)力狀況不夠穩(wěn)定，晶粒受損或者接觸不良的狀況時(shí)有發(fā)生。另一方面，現(xiàn)有產(chǎn)品為4顆獨(dú)立的二極管（附圖1）或插件式橋堆產(chǎn)品（附圖2）或微型橋堆產(chǎn)品。主要存在如下弊端：4顆獨(dú)立的二極管：產(chǎn)品厚度大，占用PCB板空間較大，不適用回流焊方式焊接。直列式橋堆產(chǎn)品：產(chǎn)品厚度大，散熱性能不佳，不適用回流焊方式焊接。微型橋堆產(chǎn)品，無(wú)散熱片，客戶希望產(chǎn)品能有更好的散熱性能。綜上，現(xiàn)有技術(shù)存在產(chǎn)品厚度大，占用PCB板空間較大，不適應(yīng)終端產(chǎn)品小型化的需求；產(chǎn)品散熱性能不佳，造成終端產(chǎn)品發(fā)熱量大，不利于節(jié)能環(huán)保；不適用回流焊方式焊接，PCB板上其他產(chǎn)品需要用回流焊方式焊接時(shí)整個(gè)PCB板需要二次受熱，會(huì)對(duì)已組裝的器件帶來(lái)?yè)p害等技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型目的是提供一種微型貼裝整流半導(dǎo)體器件，該表面貼裝整流橋器件厚度薄，芯片與PCB的散熱路徑最短，散熱片為金屬材質(zhì)，導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)越，充分利用了PCB板自身的散熱能力，散熱片面積與產(chǎn)品長(zhǎng)x寬面積比例達(dá)50%，最大限度的利用了PCB散熱能力。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種微型貼裝整流半導(dǎo)體器件，包括：由環(huán)氧封裝體包覆的第一、第二、第三、第四二極管芯片和負(fù)極金屬條，所述環(huán)氧封裝體底部且位于左、右側(cè)分別固定有第一、第二金屬基片和E形金屬基片，所述負(fù)極金屬條位于第一、第二金屬基片和E形金屬基片之間；

第一二極管芯片的正極端與第一金屬基片上表面電連接，第二二極管芯片的負(fù)極端與E形金屬基片一端上表面電連接，第三二極管芯片的負(fù)極端與E形金屬基片另一端上表面電連接，第四二極管芯片的正極端與第二金屬基片上表面電連接；

第一連接片兩端分別與第一二極管芯片的負(fù)極端和負(fù)極金屬條的上表面電連接，第二連接片兩端分別與第二二極管芯片的正極端和第一金屬基片的上表面電連接，第二連接片中部具有凸起部且該凸起部與負(fù)極金屬條通過(guò)環(huán)氧封裝體隔離；

第三連接片兩端分別與第四二極管芯片的負(fù)極端和負(fù)極金屬條的上表面電連接，第四連接片兩端分別與第三二極管芯片的正極端和第二金屬基片的上表面電連接；

所述第一、第二、第三、第四連接片沿前后方向平行設(shè)置，所述負(fù)極金屬條位于第一金屬基片和E形金屬基片之間的前端具有一折彎部，此折彎部底部與第一、第二金屬基片和E形金屬基片各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述環(huán)氧封裝體；

第一、第二金屬基片作為交流輸入端，所述負(fù)極金屬條的折彎部作為直流負(fù)極端，所述E形金屬基片作為直流正極端；所述第一連接片、第三連接片與負(fù)極金屬條通過(guò)第一定位機(jī)構(gòu)連接，所述第二連接片、第四連接片與第一、第二金屬基片均通過(guò)第二定位機(jī)構(gòu)連接，所述第一定位機(jī)構(gòu)由位于負(fù)極金屬條兩側(cè)的凸點(diǎn)和位于第一連接片、第三連接片末端的兩側(cè)的內(nèi)陷部組成，此凸點(diǎn)嵌入內(nèi)陷部?jī)?nèi)；所述第二定位機(jī)構(gòu)由位于第一、第二金屬基片各自兩側(cè)的凸點(diǎn)和位于第二連接片、第四連接片末端的兩側(cè)的內(nèi)陷部組成，此凸點(diǎn)嵌入內(nèi)陷部?jī)?nèi)。

上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下：

1.上述方案中，所述環(huán)氧封裝體的厚度小于2mm。

2.上述方案中，所述第一、第二金屬基片位于環(huán)氧封裝體邊緣處的端面分別設(shè)置有至少2個(gè)第一引腳外凸部。

3.上述方案中，所述E形金屬基片位于環(huán)氧封裝體邊緣處的端面設(shè)置有4個(gè)第二引腳外凸部。

4.上述方案中，所述凸點(diǎn)的高度高于內(nèi)陷部。

由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果：

1.本實(shí)用新型微型貼裝整流半導(dǎo)體器件，其相對(duì)現(xiàn)有微型橋堆產(chǎn)品為雙面封裝，本實(shí)用新型在厚度方向上單面封裝，該產(chǎn)品厚度薄，將厚度有5mm以上調(diào)整為在2mm以內(nèi)，既作為散熱片又同時(shí)作為電氣端子的第一、第二金屬基片和E形金屬基片，上面與芯片連接，下面與客戶使用時(shí)的PCB連接，芯片為發(fā)熱部件，芯片與PCB的散熱路徑最短，散熱片為金屬材質(zhì)，導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)越，充分利用了PCB板自身的散熱能力，避免了現(xiàn)有產(chǎn)品的通過(guò)機(jī)箱內(nèi)的空氣對(duì)流散熱，芯片發(fā)熱要通過(guò)環(huán)氧才能傳導(dǎo)到外界空氣中，環(huán)氧導(dǎo)熱能力差等缺陷。