[實用新型]封裝基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520773097.X
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN205140976U
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設計）人: 羅光淋;歐憲勛;彭煜靖
• 申請（專利權）人: 日月光半導體（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L21/70
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

技術領域

本實用新型涉及封裝基板領域，特別是涉及一種具有內(nèi)埋置電容元件的封裝基板。

背景技術

隨著電子產(chǎn)品越來越趨向輕薄、高頻及多功能，其電路集成度越來越高。相應的， 所使用的集成電路的接腳數(shù)和線路布局也不斷增多，導致噪聲隨之增大。為消除噪聲或 作電性補償，可在半導體封裝結構中增加無源器件以消除噪聲和穩(wěn)定電路。

增加無源器件的方式之一是利用表面貼裝技術(SMT,surfacemountedtechnology) 將無源器件整合到基板上，但缺點在于容易產(chǎn)生阻抗，造成信號串擾，而且不能滿足電 子產(chǎn)品日益嚴格的輕薄要求。

另外一種方式是使用無源器件埋置技術將無源器件埋入封裝基板中，例如業(yè)界積極 開展的采用高介電常數(shù)薄膜的埋入式薄膜電容器技術。可參考中國專利CN101170869B 所公開的內(nèi)置電容器的制作流程，其在基板制作過程中利用薄膜沉積法逐層制作。該制 程繁瑣，大大延長了封裝基板制作流程。此外，也可將整片薄膜電容元件直接與封裝基 板進行壓合，但薄膜電容元件極易在壓合過程中產(chǎn)生裂紋或刮痕。提高電容元件的整體 厚度可降低上述風險，但同樣將無法滿足電子產(chǎn)品日益嚴格的輕薄要求。

因而，現(xiàn)有的無源器件埋置技術需進一步提高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的之一在于提供封裝基板及其制造方法，其可以簡便的制程將無源 器件特別是電容器埋置于封裝基板內(nèi)，且封裝基板整體輕薄。

根據(jù)本實用新型的一實施例，一封裝基板具有至少一電容元件及一多層線路結構， 該封裝基板進一步包含：金屬頂層、金屬底層，及位于該金屬頂層與該金屬底層之間的 至少一金屬內(nèi)層。該金屬頂層上設置有該多層線路結構中的頂層線路結構。金屬底層上 設置有該多層線路結構中的底層線路結構。該至少一金屬內(nèi)層上設置有該至少一電容元 件的第二電容極片及該多個線路層結構中的至少一內(nèi)層線路結構，且該至少一內(nèi)層線路 結構的厚度小于該頂層線路結構與該底層線路結構的厚度。

在本實用新型的一實施例中，該至少一電容元件進一步包含設置于該金屬頂層的第 一電容極片。該至少一電容元件的厚度為10-35um，該第二電容極片的厚度為2-5um， 該第一電容極片的厚度為6-15um。優(yōu)選的，該至少一電容元件的厚度為20um，該第一 電容極片的厚度為10um，該第二電容極片的厚度為3um。該封裝基板還包括至少一第一 介電層與一第二介電層，整個第一介電層上布滿用作該至少一電容元件的介電材料的高 介電常數(shù)材料。

本實用新型實施例可提供具有超薄內(nèi)埋薄膜電容元件的多層(3層以上)封裝基板 及其制作方法，其可制作增強薄膜電容以保護電容元件不受損傷，避免制作過程基板翹 曲，同時，還可降低基板整體的厚度，從而提升封裝基板集成度。

附圖說明

圖1a-1f所示是根據(jù)本實用新型一實施例的制造一三層封裝基板的方法的流程示意 圖

圖2a-2h所示是根據(jù)本實用新型一實施例的制造一四層封裝基板的方法的流程示意 圖。

具體實施方式

為更好的理解本實用新型的精神，以下結合本實用新型的部分優(yōu)選實施例對其作進 一步說明。

在半導體封裝結構中增加無源器件可以起到消除噪聲和穩(wěn)定電路的作用。這些無源 器件通常可占據(jù)半導體封裝結構總表面積的50％或更大面積，且其中一半左右是電容元 件。如果將這些無源器件埋入封裝基板中，將極有利于產(chǎn)品的小型化和增加設計靈活性。 此外，這種埋置技術由于減少了焊接連接而可以改善產(chǎn)品的可靠性，并且通過減少噪音 和連接通路而可以進一步降低寄生電感。