[實用新型]封裝基板有效
| 申請號: | 201520773097.X | 申請日: | 2015-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN205140976U | 公開(公告)日: | 2016-04-06 |
| 發明(設計)人: | 羅光淋;歐憲勛;彭煜靖 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;H01L21/70 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 | ||
1.一種封裝基板,具有至少一電容元件及一多層線路結構;所述封裝基板進一步包含:
金屬頂層,其上設置有所述多層線路結構中的頂層線路結構;
金屬底層,其上設置有所述多層線路結構中的底層線路結構;及
至少一金屬內層,位于所述金屬頂層與所述金屬底層之間;
其特征在于所述至少一金屬內層上設置有所述至少一電容元件的第二電容極片及所述多層線路結構中的至少一內層線路結構,且所述至少一內層線路結構的厚度小于所述頂層線路結構與所述底層線路結構的厚度。
2.如權利要求1所述的封裝基板,其特征在于所述封裝基板還包括至少一第一介電層與一第二介電層,整個所述第一介電層上布滿用作所述至少一電容元件的介電材料的高介電常數材料。
3.如權利要求2所述的封裝基板,其特征在于所述至少一電容元件進一步包含設置于所述金屬頂層的第一電容極片,所述第一電容極片與所述第二電容極片設置于所述高介電常數材料兩側;所述至少一電容元件的厚度為10-35um,所述第一電容極片的厚度為6-15um,所述第二電容極片的厚度為2-5um。
4.如權利要求3所述的封裝基板,其特征在于所述至少一電容元件的厚度為20um,所述第一電容極片的厚度為10um,所述第二電容極片的厚度為3um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





