[實用新型]金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器有效
| 申請號: | 201520769447.5 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN204959033U | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發明(設計)人: | 權永德 | 申請(專利權)人: | 上海荷緣光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46 |
| 代理公司: | 上海領洋專利代理事務所(普通合伙) 31292 | 代理人: | 羅曉鵬 |
| 地址: | 201114 上海市閔行*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 有機化學 沉積 電阻 加熱器 | ||
技術領域
本實用新型涉及金屬有機化學氣相沉積設備領域,尤其涉及一種電阻加熱器。
背景技術
金屬有機化學氣象沉積法(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,簡稱MOCVD),是在基板上成長半導體薄膜的一種方法,實際應用中基板可以是發光二極管外延片或者芯片。MOCVD的外延工藝速度快,產量高,適用于高亮度發光二極管的外延成膜。MOCVD成膜設備如圖1所示為一氣相沉積爐,其包括一反應室1,其內為一反應腔2,反應腔中安裝有一加熱器3,加熱器3上面置有一承載盤4。成長薄膜時,待成膜基板5放在承載盤4上,通過加熱器3將待成膜基板5加熱,然后通過載流氣體將反應源氣體流經反應腔,反應源氣體在加熱后的待成膜基板上面發生化學反應,沉積生長薄膜。
已知用于氣相沉積爐的加熱器,如中國臺灣專利公告第303485號所述的加熱器,其包括四層環形金屬板,如圖2所示,自上而下分別為第一反射板301、第一基座302、第二反射板303和第二基座304;以及安裝在四層環形金屬板上面的一加熱體。第一反射板301和第二反射板303用于將加熱體產生的熱量反射至承載盤4。其中第一反射板301為一片整體金屬板,在氣相沉積設備中,長期處在劇烈的高低溫變化下,容易變形,一方面造成反射效果降低,另一方面容易出現短路現象,嚴重縮短加熱器使用壽命。
實用新型內容
本實用新型針對現有技術存在的技術問題,目的在于提供一種反射板不易變形,使用壽命得以延長的金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器。
本實用新型的金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器包括:
四層環形金屬板,上下平行設置,分別具有對應的沿螺旋線排列的若干圓孔,自上而下分別為第一反射板、第一基座、第二反射板和第二基座,所述第一反射板、第一基座、第二反射板和第二基座互相由若干固定組件和若干定位件連接固定;
一加熱體,包括呈螺旋線狀鋪設在所述第一反射板上的加熱線圈,所述加熱線圈由穿設在所述若干圓孔中的若干支撐件支撐;
所述第一反射板分為三段,其中每一段相比于現有技術中未分段的整個環形反射板受熱面積要小,相對不容易變形。
本實用新型的一較佳實施例中,第一反射板和第一基座之間的間隙固定有若干陶瓷絕緣件,用于固定所述若干支撐件以及絕緣。
本實用新型的一較佳實施例中,所述加熱體還包括沿螺旋線等距分布的穿設在所述若干圓孔中的若干對第一連接件和兩第二連接件;所述加熱線圈由若干等長的加熱電阻絲通過所述若干對第一連接件連接而成;所述加熱線圈成一通路,兩端分別在所述四層環形金屬板外側和內側并分別通過一所述第二連接件連通電源。所述若干加熱電阻絲長度適中,不僅便于安裝,而且出現燒斷情況時也只需更換一根,簡便節約。
本實用新型的一較佳實施例中,所述第一反射板每段之間留有2毫米的間隙并通過所述固定組件固定,以此避免受熱膨脹而產生擠壓變形。
本實用新型的一較佳實施例中,所述第一反射板厚度為1.5~6毫米,所述第二反射板厚度為0.1~3毫米。因第一反射板離所述加熱電阻絲最近,接收熱量最大,為避免變形需具備一定厚度,同時為避免吸熱過多又不能太厚;而所述第二反射板接收的熱量相對要少,厚度相對要薄
本實用新型的一較佳實施例中,所述四層環形金屬板的材質為鉬、鎢鉬合金或者鉬鑭合金,優選更耐高溫的鉬鑭合金,可進一步延長使用壽命。加熱電阻絲材質為鎢或者鉬,優選加熱效果更好的鎢。
綜上,與相比,所述第一反射板等分為三段,每一段相對于現有技術的一整個環形金屬板面積變小,在劇烈的高低溫變化下更不易變形,加上所訴四塊環形金屬板所用材質更耐高溫,本實用新型的金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器的使用壽命得以有效延長。
以下將結合附圖對本實用新型的構思、具體結構及產生的技術效果作進一步說明,以充分地了解本實用新型的目的、特征和效果。
附圖說明
圖1為MOCVD成膜設備示意圖。
圖2為MOCVD成膜設備中現有的加熱器示意圖。
圖3為本實用新型的金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器立體圖。
圖4為本實用新型的金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器俯視圖。
圖5為本實用新型的金屬有機化學氣相沉積電阻加熱器側視圖。
圖6為圖5的局部放大圖。
圖7為圖3中四層環形金屬板立體圖。
圖8為圖7的局部放大圖。
具體實施方式
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





