[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201520728339.3 | 申請日: | 2015-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN204905225U | 公開(公告)日: | 2015-12-23 |
| 發明(設計)人: | 嚴用鐸;張錫弼 | 申請(專利權)人: | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 鄭青松 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及基板處理裝置,更詳細地說,利用等離子在基板表面形成多個凹凸的基板處理裝置。
背景技術
基板處理裝置為,其構成包括形成密閉的內部空間的真空腔室,與設置在真空腔室內來安裝基板的基板支撐架,并且將處理氣體注入于內部空間的同時施加電源來蝕刻或沉積基板的表面的裝置。
被所述基板處理裝置處理的基板有半導體用晶圓、LCD面板用玻璃基板、太陽能電池用基板等。
作為所述基板處理裝置的一示例基板處理裝置為,在基板支撐架上安裝太陽能電池用基板之后,在基板的上側覆蓋形成多個開口部的蓋部件,為使在基板表面形成微小的凹凸而執行真空處理。
如上所述,作為利用蓋部件在基板表面形成多個凹凸的基板處理裝置,有韓國公開專利公報第10-2011-0029621號。
另一方面,使用蓋部件在基板表面形成微小的凹凸的現有的基板處理裝置,根據蓋部件的中央部分及邊緣位置部分等位置等離子形成條件不同,因此存在在以蓋部件的平面位置為基準位于邊緣位置部分的基板形成不均勻的微小凹凸,即具有會發生顯著色差的問題。
然后,根據形成不均勻的微小凹凸,無法充分地達成根據形成微小凹凸降低反射率效果,因此具有無法充分地提高太陽能電池元件的效率的問題。
實用新型內容
(要解決的問題)
本實用新型提供基板處理裝置的目的在于,為了解決如上所述的問題,利用蓋部件來在基板表面形成微小凹凸時,能夠形成均勻的微小凹凸。(解決問題的手段)
本實用新型是為了達成如上所述的本實用新型的目的而提出的,本實用新型公開的基板處理裝置,包括:工序腔室,形成密閉的內部空間并且所述工序腔室電氣性接地;基板支撐部,以與所述工序腔室電氣性絕緣的狀態來進行設置并施加一個以上的RF電源,并且支撐安裝一個以上的基板的托架;氣體噴射部,設置在所述內部空間的上側來噴射用于執行基板處理的氣體;蓋部,從所述基板支撐部間隔距離地覆蓋所述一個以上的基板來進行配置,并且形成多個開口部以使由所述氣體噴射部噴射的氣體流入,并且所述蓋部接地。
所述蓋部,以被所述托架支撐的狀態與所述托架一起被移送,在所述托架安裝在所述基板支撐部時與所述工序腔室電氣性連接,進而所述蓋部被接地。
所述蓋部通過與所述工序腔室的內側壁及底面中的至少一個接觸,進而所述蓋部被接地。
所述托架及所述蓋部的平面形狀為矩形形狀,所述蓋部,以導入到所述工序腔室的方向為基準相互面對的兩邊比所述托架的邊緣更向外側凸出,并且更凸出的部分與所述工序腔室的內表面電氣性接觸來接地所述蓋部。
所述工序腔室上設置有接地部件,所述接地部件從所述工序腔室的內表面凸出來而在所述托架安裝在所述基板支撐部時將所述蓋部與所述工序腔室電氣性連接。
所述蓋部以電氣性連接于所述工序腔室的狀態可固定或可拆卸地設置在所述工序腔室。
所述蓋部被設置在所述工序腔室的支撐部件支撐,并且根據所述支撐部件與所述工序腔室電氣性連接。
在所述托架導入所述工序腔室或從所述工序腔室排出時為了防止被干涉,所述蓋部可上下移動地設置在所述工序腔室內。
所述工序腔室及所述托架中至少一個,具有用于接地所述托架的一個以上的接地部。
所述基板處理裝置執行反應離子蝕刻工藝。
所述基板為太陽能電池用晶體硅基板。
(實用新型的效果)
根據本實用新型的基板處理裝置,接地覆蓋在托架安裝的一個以上的基板的上部的蓋部,進而穩定地形成等離子,因此具有能夠顯著提高工序的均勻度的優點。
在接地蓋部的情況,只在由基板支撐架及蓋部形成的空間形成等離子,因此在基板附近穩定地形成等離子,進而顯著地提高工序的均勻度。
尤其是,根據本實用新型的基板處理裝置,如圖1所示根據蓋部的接地構造在基板表面形成微小凹凸時,相比于使用未接地的蓋部,能夠確認到對位于蓋部平面上的邊緣位子的基板形成均勻的微小凹凸。
并且,根據本實用新型的基板處理裝置,使覆蓋在托架安裝的一個以上的基板上部的蓋部接地,進而在由基板支撐架及蓋部形成的空間形成等離子的形成大部分的等離子,因此具有就算在施加電力相對小的電源,也能夠執行穩定且均勻的基板處理的優點。
并且,根據本實用新型的基板處理裝置,為了獲得相同的效果,根據施加電力相對小的電源,具有相比于施加電力相對大的電源的情況,在產生電弧放電等工序的穩定性方向更有利的優點。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





