[實用新型]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201520728339.3 | 申請日: | 2015-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN204905225U | 公開(公告)日: | 2015-12-23 |
| 發明(設計)人: | 嚴用鐸;張錫弼 | 申請(專利權)人: | 圓益IPS股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 鄭青松 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
工序腔室,形成密閉的內部空間并且所述工序腔室電氣性接地;
基板支撐部,以與所述工序腔室電氣性絕緣的狀態來進行設置并施加一個以上的RF電源,并且支撐安裝一個以上的基板的托架;
氣體噴射部,設置在所述內部空間的上側來噴射用于執行基板處理的氣體;
蓋部,從所述基板支撐部間隔距離地覆蓋所述一個以上的基板來進行配置,并且形成多個開口部以使由所述氣體噴射部噴射的氣體流入,并且所述蓋部接地。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述蓋部,以被所述托架支撐的狀態與所述托架一起被移送,在所述托架安裝在所述基板支撐部時與所述工序腔室電氣性連接,進而所述蓋部被接地。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述蓋部通過與所述工序腔室的內側壁及底面中的至少一個接觸,進而所述蓋部被接地。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述托架及所述蓋部的平面形狀為矩形形狀,
所述蓋部,以導入到所述工序腔室的方向為基準相互面對的兩邊比所述托架的邊緣更向外側凸出,并且更凸出的部分與所述工序腔室的內表面電氣性接觸來接地所述蓋部。
5.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述工序腔室上設置有接地部件,所述接地部件從所述工序腔室的內表面凸出來而在所述托架安裝在所述基板支撐部時將所述蓋部與所述工序腔室電氣性連接。
6.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述蓋部以電氣性連接于所述工序腔室的狀態可固定或可拆卸地設置在所述工序腔室。
7.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述蓋部被設置在所述工序腔室的支撐部件支撐,并且根據所述支撐部件與所述工序腔室電氣性連接。
8.根據權利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
在所述托架導入所述工序腔室或從所述工序腔室排出時為了防止被干涉,所述蓋部可上下移動地設置在所述工序腔室內。
9.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述工序腔室及所述托架中至少一個,具有用于接地所述托架的一個以上的接地部。
10.根據權利要求1至9中任意一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板處理裝置執行反應離子蝕刻工藝。
11.根據權利要求1至9中任意一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板為太陽能電池用晶體硅基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





