[實用新型]一種簡易的氣體混合腔有效
| 申請號: | 201520717288.4 | 申請日: | 2015-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN205223346U | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發明(設計)人: | 彭釋;張菁;李煒 | 申請(專利權)人: | 東華大學 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若瑩 |
| 地址: | 201620 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 簡易 氣體 混合 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種簡易加工的氣體混合腔,尤其是一種等離子體增強化學 氣相沉積(PECVD)平行板介質阻擋放電用氣體混合裝置。
背景技術
目前,PECVD是一種常用的薄膜制備方法,一般包括下列步驟:提供基片; 提供前驅體;將前驅體由惰性氣體(輔助氣體)通入電極之間,等離子體中高速 運動電子碰撞反應氣體及前驅體形成大量自由基,通過吸附、擴散在基片表面沉 積。PECVD基片溫度低,沉積速率快,成膜質量好等優點使其得以廣泛應用。
然而反應氣體、輔助氣體及前驅體的混合不均勻常常導致放電不均勻,沉積 薄膜厚度形貌不一致。許多科研工作者都致力于氣體混合裝置研究。公開號為 CN1712561A的中國專利中通過增多延長氣體混合腔體來使氣體混合均勻,但其 占地面積較大,且大混合腔中空氣難以排除。公開號為CN203737192U的專利提 出對稱結構來增加氣體混合碰撞,但結構較為復雜。
發明內容
本實用新型的目的是提供一種簡單,易加工,混合速度快,效果好的氣體混 合裝置。
為了達到上述目的,本實用新型的技術方案是提供了一種簡易的氣體混合 腔,包括腔體,進氣口,出氣口。其特征在于,腔體開有第一進氣口及第二進氣 口,在腔體內設有沿寬度方向等間距排列的第一分流管道及沿長度方向等間距排 列的第二分流管道,第一分流管道及第二分流管道分別與第一進氣口及第二進氣 口相通,第一分流管道及第二分流管道還與混氣管道相通,混氣管道與出氣口相 通。
優選地,所述腔體為長方體。
優選地,所述第一進氣口及第二進氣口為圓孔,并分別設有流量調節閥。
優選地,所有所述第一分流管道及第二分流管道的直徑一致,可根據氣流大 小調節。
優選地,所有所述第一分流管道和第二分流管道位于同一高度。
優選地,所述第一分流管道與所述第二分流管道相互垂直,或所述第一分流 管道與所述第二分流管道間呈銳角夾角。
優選地,所述出氣口為長方形扁平狀或圓形小孔。
優選地,所述混合腔可選用聚四氟乙烯或可切割陶瓷材料,通過簡單鉆孔技 術加工。
本實用新型的有益效果是:
1、整體結構設計合理,結構簡單,易用加工。
2、氣體經過多次分流和混合,多種氣體相互碰撞的機會增加,混合效果良 好,混合速度快。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例1的簡易的氣體混合腔的結構示意圖;
圖2為本實用新型實施例2的簡易的氣體混合腔的結構示意圖;
圖3為本實用新型實施例3的簡易的氣體混合腔的結構示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型更明顯易懂,茲以優選實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
實施例1:
如圖1中,本實施例的氣體混合裝置,包括腔體1,腔體1有第一進氣口2、 第二進氣口3,第一分流管道4及第二分流管道5。所述第一進氣口2、第二進 氣口3分別與兩個氣體質量流量計相連。第一分流管道4及第二分流管道5相互 垂直,在高度方向位于同一平面,加工簡易。出氣口6為扁平長方形,沒有閥門, 直接與PECVD用平行板電極一端相連(圖未示)。
本實用新型的氣體混合腔工作室,第一進氣口2和第二進氣口3的氣體進入 管道后,通過多次的分流混合,使氣體的混合效果大大提高。出氣端多個平行排 列的出氣孔增加了氣體進入PECVD反應腔體的氣體氣流穩定性。
實施例2:
如圖2所示,在實施例1的基礎上,將相互垂直的第一分流管道4及第二 分流管道5的夾角設置為60°。第一進氣口2為較小氣流,第二進氣口3為較 大氣流。通過虹吸效應,第二分流管道5的大氣流氣體能有效地將第一分流管道 4的氣體吸附帶入反應腔體,更利于氣體的混合。
實施例3:
如圖3所示,在實施例2的基礎上,將出氣端的多個平行出氣口整合為一個 出氣口,單一出氣口有利于將整個混氣腔用于其他沉積裝置,例如等離子體炬。
上述雖然結合附圖對本專利的具體實施方式進行了描述,但并非對本專利保 護范圍的限制,所述領域技術人員應該明白,在本專利的技術方案的基礎上,本 領域技術人員不需要付出勞動即可做出的各種修改或變形仍在本專利的保護范 圍以內。
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





