[實用新型]集成電路器件有效
| 申請號: | 201520715139.4 | 申請日: | 2015-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN205004326U | 公開(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發明(設計)人: | E·M·卡達格;R·卡盧斯特 | 申請(專利權)人: | 意法半導體公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/49 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 菲律賓*** | 國省代碼: | 菲律賓;PH |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 器件 | ||
技術領域
本實用新型涉及集成電路器件的領域,并且更特別地涉及具有暴露在底表面上的接觸焊墊的集成電路封裝。
背景技術
集成電路封裝,諸如四方扁平封裝(QFP)、小外形集成電路(SOC)封裝和塑料單個小外形(PSSO)封裝,包括裸片焊墊以及支撐在裸片焊墊的表面上的集成電路(或裸片)。封裝材料包圍集成電路。多個引腳,通常稱作引線,諸如“鷗翼式”引線,通常從形成了封裝的封裝材料的側面延伸。引線由鍵合接線連接至經封裝的集成電路。通常這些類型的集成電路器件被形成為表面安裝器件。封裝形式可以是扁平矩形體并且通常是具有沿著所有四個側邊延伸的引線的正方體。存在許多設計變化,通常在引線數目、它們的間距、封裝尺寸和用于構造封裝的材料上不同。通常選擇材料以改進或改變封裝的熱特性。
四方扁平無引線(QFN)封裝在設計上類似,但是具有改進的共面性和散熱,并且不具有用作天線的鷗翼式引線。結果,QFN封裝與QFP和類似封裝相比在高頻應用中產生了遠遠較少的“噪聲”。QFN封裝包括由封裝材料包圍的集成電路裸片,以及耦合至IC裸片并且耦合至接觸焊墊的引線,接觸焊墊暴露在封裝材料與所述底表面的外圍相鄰的底表面上。QFN封裝已知它們具有小尺寸、成本效率和良好的產率。由于暴露的引線框架焊墊(或頂部裸片焊盤支座),這些QFN封裝提供了良好的熱性能,并且由于與暴露的引線框架焊墊直接的熱路徑而從封裝去除了熱量。
暴露在QFN和類似封裝中封裝材料底表面上的接觸焊墊通常是單行焊墊,并且裸片停放在與引線框架焊墊協作的頂部裸片焊盤支座的頂部上。在其中裸片相對于頂部裸片焊盤支座較小的那些情形中,可能發生脫離,因為當由溫度改變或機械應力而誘導時,封裝材料可以與一個或多個引線分離。當IC裸片初始地粘附至頂部裸片焊盤支座時,環氧樹脂泄漏也可能發生。此外,較大的封裝可以在電路板上占據過大的空間。如果QFN封裝尺寸可以減小并且調節不同IC裸片尺寸而并未損害裸片-至-裸片焊墊比率(padratio),而同時也減小了脫離和環氧樹脂泄漏,這將是有利的。
實用新型內容
本公開的實施例的目的是提供一種集成電路器件,以至少部分地解決現有技術中的上述問題。
根據本公開的一個方面,提供了一種集成電路器件,包括:
集成電路裸片;
封裝材料,包圍所述集成電路裸片;
第一組引線,被耦合至所述集成電路裸片,并且具有暴露在所述封裝材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第一接觸焊墊;以及
第二組引線,被耦合至所述集成電路裸片,并且具有暴露在所述封裝材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第二接觸焊墊;
所述第二組引線也具有從所述第二接觸焊墊中的相應第二接觸焊墊橫向向內延伸的內端部,以限定在其上支撐所述集成電路裸片的裸片焊墊區域。
優選地,所述第一接觸焊墊和所述第二接觸焊墊設置為交替圖形。
優選地,所述第一接觸焊墊和所述第二接觸焊墊設置為偏移圖形,使得所述第一接觸焊墊設置為比所述第二接觸焊墊更靠近所述封裝材料的底表面的外圍。
優選地,所述第一組引線具有相同形狀和尺寸。
優選地,所述第二組引線中的每個引線包括從相應第二接觸焊墊橫向向外延伸的封裝遠端部。
優選地,所述封裝材料的下表面具有限定矩形形狀的四個側邊。
優選地,所述第二組引線包括從所述封裝材料的下表面的四個側邊中的每個側邊平行并且向內延伸的相應引線群組。
優選地,所述第二組引線具有限定在矩形形狀的角部之間延伸的X形開口的不同長度。
優選地,所述集成電路器件進一步包括:
第一組鍵合接線,耦合所述集成電路裸片和所述第一組引線;以及
第二組鍵合接線,耦合所述集成電路裸片和所述第二組引線。
根據本公開的另一方面,提供了一種集成電路器件,包括:
集成電路裸片;
封裝材料,包圍所述集成電路裸片;
第一組引線,被耦合至所述集成電路裸片,并且具有暴露在所述封裝材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第一接觸焊墊,所述第一組引線具有相同的形狀和尺寸;以及
第二組引線,被耦合至所述集成電路裸片,并且具有暴露在所述封裝材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第二接觸焊墊;
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