[實用新型]一種用于檢測背光模組的電路結構

有效

• 申請號: 201520707547.5
• 申請日: 2015-09-14
• 公開（公告）號: CN205028626U
• 公開（公告）日: 2016-02-10
• 發明（設計）人: 薛峰
• 申請（專利權）人: 東莞市亞通光電有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G01R31/44
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 羅曉林

1.一種用于檢測背光模組的電路結構，具有輸入端IN和輸出端OUT，其特征在于，所述電路還包括可控硅Q1、三極管Q2、三極管Q3、光耦合器、電容C和電阻R2，光耦合器和電阻R2串聯連接后與可控硅Q1的發射極和電容C連接，電容C通過線路分別與可控硅Q1的基極、光耦合器連接，可控硅Q1的基極與電容C之間還設有電阻R4，可控硅Q1的集電極通過線路與光耦合器連接，三極管Q2的集電極與電容C連接，三極管Q2的基極與三極管Q3的集電極連接，三極管Q3的基極通過線路連接至光耦合器，三極管Q3的基極通過電阻R7與該三極管Q3的發射極連接，可控硅Q1、三極管Q2和三極管Q3的發射極均通過線路與輸入端IN連接，光耦合器通過線路與輸出端OUT連接，輸入端IN通過線路還與三級管Q2的基極、三級管Q3的集電極連接。

2.根據權利要求1所述的用于檢測背光模組的電路結構，其特征在于，所述電阻R2的阻值為560歐姆。

3.根據權利要求2所述的用于檢測背光模組的電路結構，其特征在于，所述可控硅Q1的基極通過電阻R3與該可控硅Q1的發射極連接。

4.根據權利要求3所述的用于檢測背光模組的電路結構，其特征在于，所述電容C與光耦合器間設有電阻R1。

5.根據權利要求4所述的用于檢測背光模組的電路結構，其特征在于，所述三極管Q3的基極與光耦合器間設有電阻R5，該電阻R5和電阻R1并聯連接。

6.根據權利要求5所述的用于檢測背光模組的電路結構，其特征在于，所述電阻R1的阻值優選為47K歐姆，電阻R5的阻值優選為100K歐姆。

7.根據權利要求6所述的用于檢測背光模組的電路結構，其特征在于，所述電阻R3的阻值優選為47K歐姆，電阻R4的阻值優選為4.7K歐姆，電阻R7和電阻R6的阻值均優選為100K歐姆。