[實用新型]金屬互連線的橋連測試結構有效
| 申請號: | 201520692280.7 | 申請日: | 2015-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN204885100U | 公開(公告)日: | 2015-12-16 |
| 發明(設計)人: | 夏禹 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 300385 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 互連 測試 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體領域,尤其涉及一種金屬互連線的橋連測試結構。
背景技術
集成電路制造技術是一個復雜的工藝,技術更新很快。表征集成電路制造技術的一個關鍵參數為最小特征尺寸,即關鍵尺寸(criticaldimension,CD),隨著半導體技術的不斷發展器件的關鍵尺寸越來越小,正是由于關鍵尺寸的減小才使得每個芯片上設置百萬個器件成為可能。
隨著半導體器件尺寸的不斷縮小,所述器件的邏輯區故障排除(Logicareadebug)變得更加困難,因為故障區域或者說是缺陷點(weakpoint)很難查找,包括有源區(AA)、接觸孔(CT)、通孔(VIA)及金屬橋連(metalbridge)缺陷等。
晶圓可接受測試(waferacceptancetest,WAT)是衡量芯片制造過程中各工藝步驟正常與否的最基本檢測手段。通常在制作晶粒時,在每個晶粒和晶粒的空隙上,也就是切割道上,制作測試結構(testkey),WAT方法通過對所述測試結構的測試,從而推斷晶粒是否完好,通常所述WAT參數包括對元件進行電性能測量所得到的數據,例如連結性測試、閾值電壓、漏極飽和電流等。
金屬橋連(metalbridge)成為半導體器件電路制備中主要的缺陷,通常通過WAT中的測試結構來查找所述金屬橋連(metalbridge)是否存在,現有技術中測試結構如圖1所示,所述測試結構包括第一測試件101和第二測試件102,所述第一測試件101以及第二測試件102均為梳狀結構,并且相對設置,具體而言,所述第一測試件101中的梳齒和第二測試件102中的梳齒相對交錯設置,但是并不直接接觸,所述第一測試件101和所述第二測試件102的線寬相同,均為最小特征尺寸。然后對所述第一測試件101和所述第二測試件102進行電學性能測試,例如測試電容或者電流等參數,以此判斷是否發生金屬層間的橋連。然而,發明人發現,隨著產品設計的發展,在導線線寬為最小特征尺寸的情況下絕緣良好,并不排除線寬在大于最小特征尺寸的情況下發生金屬層間橋連的可能性。因而,有必要提供一種金屬橋連測試結構,以檢測導線線寬大于最小特征尺寸時金屬層間的絕緣情況。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種金屬互連線的橋連測試結構,以解決金屬連線的線寬在大于最小特征尺寸的情況下發生金屬層間的橋連的問題。
為了達到上述目的,本實用新型提供了一種金屬互連線的橋連測試結構,包括:第一測試件和第二測試件,所述第一測試件呈蛇形結構,所述第二測試件圍繞所述第一測試件設置,所述第一測試件從一端到另一端的線寬逐漸增大。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第一測試件和所述第二測試件之間的距離為一恒定值,所述恒定值大于等于金屬互連線的最小間距。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第一測試件的最小線寬為金屬互連線的最小線寬。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第一測試件的線寬每次增大的寬度為一固定寬度。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述固定寬度為所述第一測試件的最小線寬。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第二測試件為相對交錯的梳狀結構,且所述梳狀結構的梳齒的最小寬度為所述第一測試件的最小線寬。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第一測試件的第一端到第二端的線寬逐漸增大。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第二測試件的第一端與所述第一測試件的第一端對應,所述第二測試件的第二端與所述第一測試件的第二端對應,所述第二測試件的第一端的梳齒的寬度最小,所述第二測試件的第二端的梳齒的寬度最大。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第一測試件的第二端到第一端的線寬逐漸增大。
優選的,在上述的金屬互連線的橋連測試結構中,所述第二測試件的第一端與所述第一測試件的第一端對應,所述第二測試件的第二端與所述第一測試件的第二端對應,所述第二測試件的第一端的梳齒的寬度最大,所述第二測試件的第二端的梳齒的寬度最小。
在本實用新型提供的金屬互連線的橋連測試結構中,第一測試件呈蛇形結構,第二測試件圍繞所述第一測試件設置,所述第一測試件從一端到另一端的線寬逐漸增大,從而可以檢測出在不同金屬連線線寬下金屬層間的絕緣情況。如此,不僅能檢測金屬連線的線寬為最小特征尺寸時金屬層間的絕緣情況,還可以檢測金屬連線的線寬大于最小特征尺寸時金屬層間的絕緣情況。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





