[實(shí)用新型]晶圓承載裝置和晶舟有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520682898.5 | 申請日： | 2015-09-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN204885123U | 公開（公告）日： | 2015-12-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張學(xué)良;高海林 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/683 | 分類號(hào)： | H01L21/683;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 承載 裝置 | ||
1.一種晶圓承載裝置，其特征在于，包括具有一頂部開口的固定槽以及用于支撐一晶圓的承載部，承載部設(shè)置于所述固定槽的內(nèi)部，所述承載部到所述固定槽的頂部開口的距離大于晶圓的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，還包括底座，所述底座支撐所述固定槽的底部。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述底座的邊緣超出所述固定槽的邊緣，所述固定槽設(shè)置于所述底座的中心。
4.如權(quán)利要求2所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述底座所在的平面平行于所述承載部所在的平面。
5.如權(quán)利要求2所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述底座為圓盤形。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述固定槽的側(cè)邊具有凹口，所述凹口的深度大于所述承載部到所述固定槽頂部開口的距離。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述凹口的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述凹口的連線穿過所述固定槽的中心。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述固定槽為環(huán)形桶狀，所述承載部設(shè)置于所述固定槽的內(nèi)壁上。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓承載裝置，其特征在于，所述承載部為環(huán)狀。
10.一種晶舟，用于容置如權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的晶圓承載裝置，其特征在于，包括多個(gè)容置部，設(shè)置于所述晶舟的內(nèi)部。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
