[實用新型]一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置

有效

• 申請號: 201520581461.2
• 申請日: 2015-08-05
• 公開（公告）號: CN204966450U
• 公開（公告）日: 2016-01-13
• 發明（設計）人: 何晨旭;孔祥照;朱潔;朱姚培
• 申請（專利權）人: 江蘇榮馬新能源有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23F1/08
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 張惠忠

技術領域

本實用新型涉及一種用于硅片水膜的去水裝置，特別是一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置。

背景技術

所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發展；廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法，而濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除為被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。

由于該工藝流程是對于硅片的擴散面進行邊緣刻蝕，因而

在非擴散面加上水膜是防止硅片過刻的重要途徑，而在實際生產過程中，硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產成本。

專利號為201220489669.8的了一種改善刻蝕水膜均勻度的裝置，該裝置包括傳送帶、塑膠輥和電機，所述塑膠輥設置在傳送帶上方，塑膠輥兩端設有支架，所述電機設置在所述塑膠輥的一端用于驅動塑膠輥轉動。本實用新型結構簡單，設置在噴水器后，可以使水膜均勻得覆蓋在硅片表面，改善水膜均勻度，進而避免硅片邊緣過刻；改方案雖然一定程度上將水膜平均分布在硅片上，但是其實際實施起來比較困難，單純靠塑膠輥壓過傳送帶上的硅片并擠壓硅片上的水膜，并不能保證多余的水不會流入刻蝕槽，擠壓出水的流向并不能得到控制。

實用新型內容

本實用新型需要解決的技術問題是針對上述現有技術的不足，而提供一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是：

一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，包括上部的濾水裝置和下部的壓輥，濾水裝置和壓輥之間為硅片濾水過道；所述濾水裝置朝向硅片的一面具有條形槽，在條形槽內設置有若干連續的轉扇，所述轉扇又包括連接在條形槽上的轉軸以及等距分布在轉軸上的扇葉，位于條形槽內端處的轉扇由電機帶動轉動，相鄰的兩個轉扇之間相互由扇葉帶動轉動，所述扇葉部分位于條形槽外；所述壓輥的軸向上開設線槽，在線槽內設置條形凸起，所述條形凸起與線槽內底部之間具有彈簧。

作為更進一步的優選方案，所述扇葉的底部設置條狀缺口，在條狀缺口內設置有輥條，所述輥條沿扇葉的長度方向設置。

作為更進一步的優選方案，所述輥條的兩端分別由輥軸連接在條狀缺口內兩端，條狀缺口內兩端分別設置有輥軸槽，所述輥軸槽內具有包裹輥軸的限位軸套，所述限位軸套的上部和下部均設置有彈簧。

作為更進一步的優選方案，所述輥條外圍一周設置有納水間隙，所述納水間隙的間隙為1mm-3mm。

作為更進一步的優選方案，所述輥條采用可塑材料。

有益效果

與現有技術相比，本實用新型的一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，硅片鍍完水膜后，經過濾水裝置和壓輥之間的硅片濾水過道，可以將硅片表面多余的水分給去除，達到濾水的效果，避免多余的水進入硅片的刻蝕槽降低酸度，而具有條形凸起的壓輥在轉動時可以間歇縮小硅片與轉扇的間距，可將已進入刻蝕槽表面的積水去除，防止進一步融入酸性溶液，具體具有以下效果：

1.上部的濾水裝置和下部的壓輥形成的硅片濾水過道，可以使硅片經過該處時，將硅片水膜上多余的水給擠壓出。

2.相鄰的轉扇之間相互帶動轉動，通過轉扇的轉動，將擠壓出的多余的水給甩出硅片表面，避免水分集中后流向刻蝕槽，影響刻蝕槽內酸濃度。

3.輥條可以增強扇葉在與硅片表面接觸時的緩沖，避免轉扇在轉動時對硅片的磨損，另一方面，輥條上的納水間隙可以增加吸收的水分量，加強去水效率。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是轉扇仰視圖；

圖3是轉扇的結構示意圖；

圖4是限位軸套的結構示意圖；

圖5是壓輥的截面圖；

其中，1-濾水裝置，2-壓輥，3-轉扇，31-轉軸，32-扇葉，4-輥條，5-限位軸套，6-納水間隙，7-線槽，8-條形凸起。

具體實施方式

下面結合附圖詳細說明本實用新型的優選技術方案。

如圖1-5所示，本實用新型的一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，包括上部的濾水裝置1和下部的壓輥2，濾水裝置1和壓輥2之間為硅片濾水過道，硅片濾水過道的間隙可以根據需要而改變間隙寬度，該間隙可以過濾下硅片上多余的水；