[實用新型]一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520581461.2 | 申請日： | 2015-08-05 |
| 公開（公告）號： | CN204966450U | 公開（公告）日： | 2016-01-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何晨旭;孔祥照;朱潔;朱姚培 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇榮馬新能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;C23F1/08 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人： | 張惠忠 |
| 地址： | 223700 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 刻蝕 硅片 間歇 裝置 | ||
1.一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，其特征在于：包括上部的濾水裝置（1）和下部的壓輥（2），濾水裝置（1）和壓輥（2）之間為硅片濾水過道；所述濾水裝置（1）朝向硅片的一面具有條形槽，在條形槽內(nèi)設(shè)置有若干連續(xù)的轉(zhuǎn)扇（3），所述轉(zhuǎn)扇（3）又包括連接在條形槽上的轉(zhuǎn)軸（31）以及等距分布在轉(zhuǎn)軸（31）上的扇葉（32），位于條形槽內(nèi)端處的轉(zhuǎn)扇（3）由電機(jī)帶動轉(zhuǎn)動，相鄰的兩個轉(zhuǎn)扇（3）之間相互由扇葉（32）帶動轉(zhuǎn)動，所述扇葉（32）部分位于條形槽外；所述壓輥（2）的軸向上開設(shè)線槽（7），在線槽（7）內(nèi)設(shè)置條形凸起（8），所述條形凸起（8）與線槽（7）內(nèi)底部之間具有彈簧。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，其特征在于：所述扇葉（32）的底部設(shè)置條狀缺口，在條狀缺口內(nèi)設(shè)置有輥條（4），所述輥條（4）沿扇葉（32）的長度方向設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，其特征在于：所述輥條（4）的兩端分別由輥軸連接在條狀缺口內(nèi)兩端，條狀缺口內(nèi)兩端分別設(shè)置有輥軸槽，所述輥軸槽內(nèi)具有包裹輥軸的限位軸套（5），所述限位軸套（5）的上部和下部均設(shè)置有彈簧。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，其特征在于：所述輥條（4）外圍一周設(shè)置有納水間隙（6），所述納水間隙（6）的間隙為1mm-3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種刻蝕硅片的水膜間歇去水裝置，其特征在于：所述輥條（4）采用可塑材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
