[實(shí)用新型]用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520554309.5
• 申請(qǐng)日: 2015-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204982047U
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-01-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬建奎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北曹妃甸漢能薄膜太陽(yáng)能有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/513
• 分類號(hào): C23C16/513
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 李志東

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于非晶硅薄膜電池PECVD沉積工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，本實(shí)用新型涉及一種用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備。

背景技術(shù)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)是通過(guò)將TCO玻璃基板預(yù)熱到200℃以上，待玻璃基板溫度穩(wěn)定后，通入反應(yīng)氣體，氣體在電場(chǎng)作用下被電離為等離子體，從而在電場(chǎng)的作用下附著在玻璃基板的表面上，進(jìn)而在玻璃基板表面形成薄膜。現(xiàn)有的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備多采用真空爐壁電阻式的加熱方式對(duì)爐膛中玻璃基板進(jìn)行加熱，然而該加熱方式通過(guò)真空腔室熱輻射作用于玻璃基板時(shí)對(duì)玻璃基板溫度影響較慢，并且大流量反應(yīng)氣體通入沉積腔室時(shí)為室溫，而氣體從腔室頂部流至底部受腔室加熱溫度逐漸變化，因此對(duì)玻璃基板頂部與底部溫度均勻性有影響，而玻璃基板溫度不均勻會(huì)造成沉積薄膜厚度及結(jié)構(gòu)不均勻，尤其是在沉積硅鍺薄膜及微晶硅薄膜時(shí)。

因此，現(xiàn)有的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備有待進(jìn)一步改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備，該設(shè)備可以有效提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

在本實(shí)用新型的一個(gè)方面，本實(shí)用新型提出了一種用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，該設(shè)備包括：

爐體，所述爐體內(nèi)限定出容納腔室；

加熱裝置，所述加熱裝置設(shè)在所述爐體的側(cè)壁上；

沉積單元，所述沉積單元位于所述容納腔室中，所述沉積單元頂部具有氣體入口，所述沉積單元內(nèi)限定出沉積腔室，所述沉積腔室包括多個(gè)彼此隔開(kāi)的子沉積腔室，每一個(gè)所述子沉積腔室中具有兩個(gè)平行間隔設(shè)置的玻璃基板，其中，所述玻璃基板中的一個(gè)與電極相連，所述玻璃基板中的另一個(gè)接地；以及

氣體管道，所述氣體管道穿過(guò)所述爐體與所述氣體入口相連，所述氣體管道包括位于所述容納腔室外的第一管段和位于所述容納腔室內(nèi)的第二管段，所述第一管段和/或第二管段上具有預(yù)熱組件。

由此，采用本實(shí)用新型實(shí)施例的用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備可以有效避免大流量反應(yīng)氣體對(duì)玻璃基板溫度的影響，從而提高玻璃基板溫度的均勻性，進(jìn)而顯著提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述實(shí)施例的用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

優(yōu)選地，所述第一管段上具有第一預(yù)熱組件，所述第一預(yù)熱組件為電阻絲加熱器，所述電阻絲加熱器纏繞在所述第一管段上。由此。可以顯著提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

優(yōu)選地，所述第二管段上具有第二預(yù)熱組件，所述第二預(yù)熱組件為電阻絲加熱器，所述電阻絲加熱器纏繞在所述第二管段上。由此。可以進(jìn)一步提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

優(yōu)選地，所述第一管段上具有第一預(yù)熱組件，所述第二管段上具有第二預(yù)熱組件，所述第一預(yù)熱組件和第二預(yù)熱組件均為電阻絲加熱器，并且所述電阻絲加熱器分別獨(dú)立地纏繞在所述第一管段和第二管段上。由此。可以進(jìn)一步提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

優(yōu)選地，所述第二管段上具有第二預(yù)熱組件，所述第二預(yù)熱組件為沿水平反向延伸的U型管。由此。可以進(jìn)一步提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

優(yōu)選地，所述第一管段上具有第一預(yù)熱組件，所述第二管段上具有第二預(yù)熱組件，所述第一預(yù)熱組件為電阻絲加熱器，所述電阻絲加熱器纏繞在所述第一管段上，所述第二管段為沿水平反向延伸的U型管。由此。可以進(jìn)一步提高沉積薄膜的厚度及結(jié)構(gòu)的均勻性。

優(yōu)選地，所述加熱裝置為電阻絲加熱器。由此，可以顯著提高玻璃基板的加熱速率。

優(yōu)選地，所述玻璃基板通過(guò)卡槽設(shè)置在所述子沉積腔室內(nèi)。

本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型又一個(gè)實(shí)施例的用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型再一個(gè)實(shí)施例的用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型再一個(gè)實(shí)施例的用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；