[實用新型]上電時序電路

有效

• 申請號: 201520537071.5
• 申請日: 2015-07-22
• 公開（公告）號: CN204808193U
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 黃美紅;錢天柱;梁銳;肖朋曉
• 申請（專利權）人: 龍芯中科技術有限公司
• 主分類號: G06F1/26
• 分類號: G06F1/26
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉丹;黃健

1.一種上電時序電路，其特征在于，包括：第一電源模塊、第二電源模塊、第一MOS場效應管、半導體壓降模塊和延時電路，所述第一MOS場效應管為P通道的MOS場效應管，所述半導體壓降模塊產生的導通壓降大于第一閾值小于第二閾值，所述第一閾值大于所述第一電源模塊的穩定電壓減去所述第二電源模塊的穩定電壓的差值，所述第二閾值小于芯片的第一電壓輸入引腳與第二電壓輸入引腳之間的壓差所應滿足的壓差閾值；

所述第一電源模塊的第一端分別與所述第一MOS場效應管的源極和所述延時電路的第一端連接，所述第一電源模塊的第二端與芯片的第一電壓輸入引腳連接；所述延時電路的第一端與所述第一MOS場效應管的源極連接，所述延時電路的第二端與所述第一MOS場效應管的柵極連接；所述第一MOS場效應管的漏極通過所述半導體壓降模塊與所述第二電源模塊的第一端連接，所述第二電源模塊的第二端連接所述芯片的第二電壓輸入引腳；所述延時電路用于使所述第一MOS場效應管在所述第一電源模塊輸入給所述第一電壓輸入引腳的電壓和所述第二電源模塊輸入給所述第二電壓輸入引腳的電壓達到穩定值后再關閉。

2.根據權利要求1所述的上電時序電路，其特征在于，所述半導體壓降模塊包括第二MOS場效應管，所述第二MOS場效應管為N通道的MOS場效應管；

所述第一MOS場效應管的漏極與所述第二MOS場效應管的源極連接，所述第二MOS場效應管的柵極接地，且所述第二MOS場效應管的漏極與所述第二電源模塊的第一端連接。

3.根據權利要求1所述的上電時序電路，其特征在于，所述半導體壓降模塊包括第一二極管，所述第一MOS場效應管的漏極與所述第一二極管的正極連接，所述第一二極管的負極與所述第二電源模塊的第一端連接。

4.根據權利要求2所述的上電時序電路，其特征在于，所述半導體壓降模塊還包括第二二極管；所述第二MOS場效應管的導通壓降為M，所述第二二極管的導通壓降為N，M+N大于所述第一閾值小于所述第二閾值；

所述第二MOS場效應管的漏極連接所述第二二極管的正極，所述第二二極管的負極連接所述第二電源模塊的第一端。

5.根據權利要求2所述的上電時序電路，其特征在于，所述半導體壓降模塊還包括第二二極管；所述第二MOS場效應管的導通壓降為M，所述第二二極管的導通壓降為N，M+N大于所述第一閾值小于所述第二閾值；

所述第二MOS場效應管的源極連接所述第二二極管的負極，所述第二二極管的正極連接所述第一MOS場效應管的漏極。

6.根據權利要求1-5任一項所述的上電時序電路，其特征在于，所述延時電路包括一電阻和一電容；

所述電阻的第一端分別與所述第一MOS場效應管的源極和所述第一電源模塊的第一端連接，所述電阻的第二端分別與所述電容的第一端和所述第一MOS場效應管的柵極連接，所述電容的第二端接地。