[實用新型]復(fù)合卷繞ITO柔性基材單鼓立式連續(xù)磁控濺射真空設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520531413.2
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN204918748U
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 莊志杰;周鈞;劉戰(zhàn)合
• 申請（專利權(quán)）人: 賽柏利安工業(yè)技術(shù)（蘇州）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56;C23C14/08
• 代理公司: 江蘇銀創(chuàng)律師事務(wù)所 32242
• 代理人: 王紀(jì)營

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及真空設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種復(fù)合卷繞ITO柔性基材單鼓立式連續(xù)磁控濺射真空設(shè)備。

背景技術(shù)

ITO透明導(dǎo)電薄膜為了滿足薄膜高的光學(xué)透過率和低的表面電阻的光電指標(biāo)，在薄膜沉積時就必須使得所沉積的薄膜微觀結(jié)構(gòu)達(dá)到一定的要求，這就決定了ITO透明導(dǎo)電薄膜的沉積過程必須在較高的溫度下進(jìn)行。目前ITO透明導(dǎo)電薄膜所采用的物理氣相沉積法制備ITO透明導(dǎo)電薄膜多在真空條件下，加溫到200℃—350℃左右，使得ITO透明導(dǎo)電薄膜目前多只能沉積在玻璃等可以耐一定溫度的基體上，而不能沉積在不耐高溫的透明塑料薄膜。過多的加熱不僅消耗大量的能源，增加成本，對生產(chǎn)設(shè)備也提出許多的苛刻的要求。同時，由于在薄膜制備時始終處于高溫的狀況下，也就極大的限制了ITO透明導(dǎo)電薄膜沉積所用基體材料的選用范圍，使得很多價格合理的高透明材料不能作為ITO透明導(dǎo)電薄膜的基體應(yīng)用，也就相應(yīng)的提高了ITO透明導(dǎo)電薄膜產(chǎn)品的成本和價格，而且更加限制了ITO透明導(dǎo)電薄膜產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。并且，在薄膜制備時始終處于高溫的狀況下，也會促使ITO透明導(dǎo)電薄膜沉積所用基體材料的變形，改變了ITO透明導(dǎo)電薄膜沉積所用基體材料的某些物理和化學(xué)性能，降低了ITO透明導(dǎo)電薄膜產(chǎn)品的成品率。高溫設(shè)備的操作也給生產(chǎn)安全帶來問題，會留下對生產(chǎn)一線人員生命保護(hù)和生產(chǎn)設(shè)備維護(hù)的不可預(yù)知的隱患。

目前，缺乏一種能夠常溫下工作的復(fù)合卷繞ITO柔性基材單鼓立式連續(xù)磁控濺射真空設(shè)備。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是提供一種能夠常溫下工作的復(fù)合卷繞ITO柔性基材單鼓立式連續(xù)磁控濺射真空設(shè)備。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)問題，本實用新型提供的技術(shù)方案為：本實用新型提供了一種復(fù)合卷繞ITO柔性基材單鼓立式連續(xù)磁控濺射真空設(shè)備，所述的卷繞柔性薄膜真空沉積系統(tǒng)包括兩個分隔開的相互獨立的低真空腔體和高真空腔體，所述低真空腔體與高真空腔體之間設(shè)置有高低真空隔板；

所述低真空度腔體設(shè)置有可沿著水平軌道開合的第一移動門；所述高真空度腔體裝設(shè)有第二移動門；所述第二移動門通過鉸鏈與高真空度腔體鉸接連接；

所述高真空腔體內(nèi)圍繞著立式單鼓周圍均布了多對立式中頻平面的非平衡陰極，每對非平衡陰極均設(shè)置有自隔氣的整體式的封閉屏蔽罩和各自獨立的工藝氣體供氣系統(tǒng)。

進(jìn)一步地，所述高真空腔體內(nèi)設(shè)置有非平衡陰極及隔氣系統(tǒng)；所述高真空腔體和低真空腔體內(nèi)均設(shè)置有各自獨立的相互分開的真空抽氣系統(tǒng)。

進(jìn)一步地，所述低真空腔體內(nèi)設(shè)置有可視實時監(jiān)控系統(tǒng)。

更進(jìn)一步地，所述非平衡陰極為七對。

有益效果：本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，常溫下可以高效率的工作，該設(shè)備能夠采用常溫物理氣相沉積，透明導(dǎo)電薄膜沉積光、電指標(biāo)穩(wěn)定，微觀結(jié)構(gòu)一致；卷繞機(jī)構(gòu)設(shè)有可視實時監(jiān)控系統(tǒng)，可以進(jìn)行實時監(jiān)控；陰極布置和靶材安裝以及薄膜沉積的工藝方便。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型具有如下優(yōu)點：

(1)采用物理氣相沉積技術(shù)將透明導(dǎo)電氧化物導(dǎo)電玻璃薄膜在室溫的條件下，沉積在PET、PEN、PC等多層復(fù)合的柔性透明塑料基體上，并作為柔性光電子基礎(chǔ)材料而廣泛用于柔性顯示器、各種柔性光電電子器件、柔性共形觸摸屏等領(lǐng)域。

(2)透明導(dǎo)電薄膜采用直立式陰極靶材布置形式和ITO柔性基材垂直附著在直立的轉(zhuǎn)動鼓的外表面上隨鼓同步轉(zhuǎn)動前行的氣相沉積過程。從而避免了臥式的薄膜沉積生產(chǎn)結(jié)構(gòu)和方式在薄膜沉積過程中存在的由于各種震動導(dǎo)致腔體上的各種氧化物微粒，以及腔體內(nèi)表面吸附的眾多雜質(zhì)隨時都能掉落在ITO透明導(dǎo)電薄膜的鍍膜面上，既破壞了所沉積的薄膜的連續(xù)一致性，又阻斷了薄膜與柔性基體表面的聯(lián)結(jié)，降低了薄膜的附著力之一不可克服的巨大缺陷，保證了在玻璃的整個表面上所沉積的薄膜均勻一致，附著力牢固可靠。

(3)非平衡陰極布置形式和自隔氣的整體式封閉屏蔽罩和各自獨立的供氣機(jī)構(gòu)，主要是通過低氣壓等離子體的非均勻放電性形式，是在電磁場與等離子體之間通過歐姆加熱、隨機(jī)加熱和二次電子發(fā)射加熱等諸多電子加熱的機(jī)制，間接的微小范圍內(nèi)局部暫時提高基體表面的瞬時溫度，來達(dá)到不對基體進(jìn)行劇烈加熱而保證形成導(dǎo)電薄膜的材料可以最大可能的按要求沉積在基體的表面。