[實用新型]熔接構(gòu)造以及電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520522728.0 | 申請日： | 2015-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN204810755U | 公開（公告）日： | 2015-11-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小路雅一 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H05K5/02 | 分類號： | H05K5/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;舒艷君 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 熔接 構(gòu)造 以及 電子設(shè)備 | ||
1.一種熔接構(gòu)造，設(shè)置于第二部件的凸起部從設(shè)置于第一部件的孔部通過，使從所述孔部突出的所述凸起部的末端部熔融并熔接于該孔部的開口緣部，
所述熔接構(gòu)造的特征在于，
使得所述凸起部與所述孔部之間的間隙在與所述第二部件連結(jié)的所述凸起部的根部側(cè)比在所述凸起部的末端部側(cè)大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述孔部的與所述凸起部的根部側(cè)對置的部位的孔尺寸比與所述凸起部的末端部側(cè)對置的部位的孔尺寸大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述凸起部的末端部側(cè)的徑向尺寸比根部側(cè)的徑向尺寸大。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述孔部中的與所述凸起部的根部側(cè)對置的部位是長軸方向沿著所述第一部件以及所述第二部件中的至少一方的長邊方向的長孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述孔部中的與所述凸起部的末端部側(cè)對置的部位是沿著所述凸起部的外周的孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述凸起部具有：第一柱狀部，其設(shè)置于根部側(cè)；以及第二柱狀部，其設(shè)置于末端部側(cè)并具有沿著所述孔部的內(nèi)周的形狀，該第二柱狀部的徑向尺寸大于所述第一柱狀部的徑向尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述孔部是長軸方向沿著所述第一部件以及所述第二部件中的至少一方的長邊方向的長孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述第二柱狀部的根部側(cè)的周圍形成有切口。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述凸起部在根部具有拐角倒角。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述孔部形成于從所述第一部件突出的凸部。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的熔接構(gòu)造，其特征在于，
所述凸起部的根部的周圍凹陷。
12.一種電子設(shè)備，其特征在于，
具備權(quán)利要求1所述的熔接構(gòu)造。
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