[實用新型]濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構有效
| 申請號： | 201520515914.1 | 申請日： | 2015-07-16 |
| 公開（公告）號： | CN204792722U | 公開（公告）日： | 2015-11-18 |
| 發明（設計）人： | 黃于維 | 申請（專利權）人： | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申浩律師事務所 31280 | 代理人： | 樂衛國 |
| 地址： | 201506 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 機臺 浸泡 結構 | ||
1.濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，包括槽底和側邊，所述槽底位于基板傳送軸的下方，側邊的上端面高度高于基板傳送軸，其特征在于，所述槽底設置有用以減少浸泡槽內部空余體積來減少覆蓋基板所需藥液量的填充件，所述填充件位于基板傳送軸下方。
2.根據權利要求1所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述槽底為平底結構。
3.根據權利要求2所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件為長方體式結構。
4.根據權利要求1所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述槽底為“V”字型結構。
5.根據權利要求4所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件為截面是三角形的立體結構。
6.根據權利要求4所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件共有兩個，均為截面是直角梯形的立體結構，兩個填充件分別設置在槽底的兩邊。
7.根據權利要求1所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件為空心結構。
8.根據權利要求1所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件為實心結構。
9.根據權利要求1所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件為高度可調節的伸縮結構。
10.根據權利要求9所述的濕式蝕刻機機臺用浸泡槽結構，其特征在于，所述填充件由若干層堆迭的盒子組成，若干層堆迭的盒子通過連接件連接，所述若干層堆迭的盒子的尺寸依次變大/小。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
