[實用新型]適用于多晶硅厚膜的石英舟有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520511853.1 | 申請日: | 2015-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN204966459U | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬曉鋒;許濤 | 申請(專利權)人: | 蘇州工業(yè)園區(qū)納米產業(yè)技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業(yè)知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李陽 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適用于 多晶 硅厚膜 石英 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種石英舟,尤其涉及一種適用于多晶硅厚膜的石英舟,屬于半導體加工用器件領域。
背景技術
多晶硅薄膜作為一種重要的半導體薄膜材料早已引起人們的重視,目前已廣泛應用于集成電路和各種電子器件的制造,且由于其特有的導電特性、優(yōu)良的力學性能、良好的半導體工藝兼容性,是較為理想的結構層材料,作為微機電系統(tǒng)(MEMS)中的基本結構材料尤其得到廣泛的應用。
多晶硅薄膜的應力在MEMS的結構中舉足輕重,其本身的應力,加上多晶厚膜與石英舟的卡槽之間的粘附,最終會導致晶圓(WAFER)產生破裂的現象。經實用新型人進行數據統(tǒng)計得如表1所示的結果:
表1采用現有技術中石英舟進行破片統(tǒng)計結果
從上述統(tǒng)計結果進行分析:破片均發(fā)生于厚膜的情況,主要是由于粘舟普遍引起的,而薄片并未發(fā)生破片,即破片晶圓均存在粘舟的現象,可推斷出現有技術采用的石英舟進行作業(yè)多晶硅厚膜產生破片應為基線(baseline)問題。多晶硅厚膜在N2MFC過沖期間破片率25%,高于無N2過沖期間4.3%,可以得出N2MFC過沖為引起多晶硅膜片破裂的因素之一;但在都存在N2MFC過沖期間,現有石英舟的寬槽舟(即寬0.9mm)的破片率為0.9%,優(yōu)于窄槽舟(即寬為0.75mm)時的破片率2.2%。這是因為過沖導致源片于主工藝前晃動,在接觸石英舟卡槽處產生裂口,從而在后續(xù)工藝中沿裂口受應力導致破片;從現場下片的情況來看,嚴重粘舟(含破片)的主要現象為緊密粘于下卡槽處,推測為主工藝過程中,因晶圓(wafer)同卡槽鍍膜時粘附過緊,并導致接觸受力點應力過大斷裂。
因此如何更改石英舟的尺寸和結構,來最大限度的降低多晶硅厚膜裂片成為當前亟待解決的問題。
實用新型內容
為解決上述技術問題,本實用新型的目的是提供一種適用于多晶硅厚膜的石英舟,該石英舟通過對下舟槽的槽型和尺寸進行調整,降低了石英舟對晶片的接觸面積,從而降低了破片率。
本實用新型的技術方案是:
一種適用于多晶硅厚膜的石英舟,用于承載多晶硅厚膜片,其包括相互平行設置石英上棒和石英下棒,石英上棒上設置有若干個彼此平行且等距的上舟槽,石英下棒上設置有若干個與彼此平行且等距的下舟槽,上、下舟槽的位置對應,所述上舟槽的槽型為Y型結構,上舟槽的槽寬為0.9mm,上舟槽的槽深為2.0mm;所述下舟槽的槽型為上寬下窄的正梯形結構,下舟槽槽底的槽寬為1.1mm,下舟槽的槽深為2.0mm。
其進一步的技術方案是:
所述上舟槽的開口角度為60°,所述下舟槽的開口角度為60°。
所述石英上棒上設置有50個上舟槽,所述石英下棒上設置有50個下舟槽,且相鄰兩個上舟槽或相鄰兩個下舟槽的間距為2.35~2.40mm。
所述石英上棒上設置有25個上舟槽,所述石英下棒上設置有25個下舟槽,且相鄰兩個上舟槽或相鄰兩個下舟槽的間距為4.75~4.78mm。
借由上述方案,本實用新型至少具有以下優(yōu)點:該石英舟在現有石英舟的基礎上,保持石英上棒上的上舟槽的槽型為Y型不變,槽寬為0.9mm不變,槽深為2.0mm不變,調整石英下棒上的下舟槽的槽型為上寬下窄的正梯形結構,槽寬為1.1mm,槽深為2.0mm,經該槽型及尺寸調整后的石英下棒與尺寸未發(fā)生變化的石英上棒構成的石英舟降低了與晶片之間的接觸面積,粘舟情況和晶片情況良好,破片率低,操作簡便且能夠長期使用。
上述說明僅是本實用新型技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段,并可依照說明書的內容予以實施,以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
附圖說明
圖1是本實用新型對比實施例7中所述石英舟下舟槽槽型示意圖;
圖2是本實用新型具體實施例1中所述石英舟下舟槽槽型示意圖;
圖3是本實用新型對比實施例2中所述石英舟下舟槽槽型示意圖;
圖4是本實用新型對比實施例3中所述石英舟下舟槽槽型示意圖;
圖5是本實用新型對比實施例4中所述石英舟下舟槽槽型示意圖;
圖6是本實用新型對比實施例5中所述石英舟下舟槽槽型示意圖;
圖7為本實用新型具體實施例1所述石英舟為50槽的俯視圖;
圖8為本實用新型具體實施例1所述石英舟為50槽的石英上棒和石英下棒的結構圖;
圖9為本實用新型具體實施例1所述石英舟為25槽的俯視圖;
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





