[實用新型]適用于多晶硅厚膜的石英舟有效
| 申請號: | 201520511853.1 | 申請日: | 2015-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN204966459U | 公開(公告)日: | 2016-01-13 |
| 發明(設計)人: | 馬曉鋒;許濤 | 申請(專利權)人: | 蘇州工業園區納米產業技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李陽 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適用于 多晶 硅厚膜 石英 | ||
1.一種適用于多晶硅厚膜的石英舟,用于承載多晶硅厚膜片,其包括相互平行設置石英上棒(1)和石英下棒(2),石英上棒上設置有若干個彼此平行且等距的上舟槽(3),石英下棒上設置有若干個與彼此平行且等距的下舟槽(4),上、下舟槽的位置對應,其特征在于:所述上舟槽的槽型為Y型結構,上舟槽的槽寬(W1)為0.9mm,上舟槽的槽深(H1)為2.0mm;所述下舟槽的槽型為上寬下窄的正梯形結構,下舟槽槽底的槽寬(W2)為1.1mm,下舟槽的槽深(H2)為2.0mm。
2.根據權利要求1所述的適用于多晶硅厚膜的石英舟,其特征在于:所述上舟槽的開口角度(α1)為60°,所述下舟槽的開口角度(α2)為60°。
3.根據權利要求1所述的適用于多晶硅厚膜的石英舟,其特征在于:所述石英上棒(1)上設置有50個上舟槽,所述石英下棒(2)上設置有50個下舟槽,且相鄰兩個上舟槽或相鄰兩個下舟槽的間距(D1)為2.35~2.40mm。
4.根據權利要求1所述的適用于多晶硅厚膜的石英舟,其特征在于:所述石英上棒(1)上設置有25個上舟槽,所述石英下棒(2)上設置有25個下舟槽,且相鄰兩個上舟槽或相鄰兩個下舟槽的間距(D2)為4.75~4.78mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





