[實用新型]一種周期性碗狀結構模板

有效

• 申請號: 201520510415.3
• 申請日: 2015-07-15
• 公開（公告）號: CN204999607U
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 李海鷗;徐文俊;李思敏;李琦;首照宇;高喜;肖功利
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: B81B7/04
• 分類號: B81B7/04
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

技術領域

本實用新型涉及微納米結構制備和應用技術領域，具體設計一種周期性碗狀結構模板。

背景技術

材料與結構在微納米尺度展現了許多不同于宏觀尺度的新特征，納米技術已經成為當前科學研究與工業開發的熱門領域之一，而半導體器件技術的發展很大程度上依賴于微納米加工技術的不斷進步，半導體微小型化依賴于微納米尺度的功能結構與器件，實現功能結構微納米化的基礎是先進的微納米加工技術。

在現有的半導體平面工藝技術中，隨著光刻精度的不斷提升，平面二維圖形的分辨能力已經能達到十納米級別；但是基于平面工藝的傳統半導體技術(例如刻蝕、淀積等)均只能實現垂直側壁或傾斜側壁等直線條結構，無法實現曲面結構的制造；這嚴重限制了微納米器件的設計思路，阻礙了一些特殊結構的實現；而以3D打印為代表的新興技術雖然結構自由度較大，但其精度還遠遠達不到微納米級別。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種周期性碗狀結構模板，其具有簡單實用、高效率和低成本的特點。

為解決上述問題，本實用新型是通過以下技術方案實現的：

一種周期性碗狀結構模板，包括基底和位于基底上方的二氧化硅，其特征是，二氧化硅上部形成多個碗狀的金屬孔，且這些金屬孔在二氧化硅上部呈周期性排布。

所述金屬孔的周期范圍為10納米～10微米之間。

所述金屬孔的周期性排布方式為十字排布或六方排布。

與現有技術相比，本實用新型具有如下特點：

1、周期性碗狀結構具有微納米尺度下的曲面結構，突破了傳統半導體平面工藝在第三維度(即剖面)上只能獲得直線條的限制因素。

2、碗狀結構尺寸均一且大小可控，且與常規微納米工藝技術兼容，簡單實用，成本低廉，兼顧科研和生產的需求。

3、本實用新型制備的碗狀結構模板適用于LED、太陽能電池、光子晶體、量子器件等器件和結構的制備，可應用于光電子技術領域。

附圖說明

圖1是一種周期性碗狀結構模板的結構示意圖；

圖中標號：1、基底，2、二氧化硅，3、金屬孔。

具體實施方式

一種周期性碗狀結構模板，如圖1所示，包括基底1和位于基底1上方的二氧化硅2，二氧化硅2上部形成多個碗狀的金屬孔3，且這些金屬孔3在二氧化硅2上部呈周期性排布。上述金屬孔3呈十字排布、六方排布及其他周期性排布，其周期范圍為10納米～10微米。