[實用新型]電化學電鍍設備以及晶片邊緣檢測系統有效
| 申請號: | 201520505814.0 | 申請日: | 2015-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN204779879U | 公開(公告)日: | 2015-11-18 |
| 發明(設計)人: | 陳俊鑫;付鵬;林德耀;劉耀鴻;林俊鴻;梁立群;羅志明 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C25D7/12 | 分類號: | C25D7/12;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電化學 電鍍 設備 以及 晶片 邊緣 檢測 系統 | ||
1.一種電化學電鍍設備,其特征在于,該電化學電鍍設備包括:
電鍍與邊緣金屬清洗模塊,用以對一晶片進行一電鍍制作工藝與一邊緣金屬清洗制作工藝;
承載平臺,用以承載該晶片;
第一機械手臂,位于該電鍍與邊緣金屬清洗模塊以及該承載平臺之間,用以抓取該晶片以使該晶片于該電鍍與邊緣金屬清洗模塊與該承載平臺之間移動;以及
至少一檢測裝置,配置于該承載平臺,用以檢測置放于該承載平臺的該晶片的一待測邊緣,該檢測裝置包括:
影像擷取單元,位于該晶片的上方,用以擷取該晶片的該待測邊緣的影像,且該影像擷取單元的一光軸與該晶片的一頂表面之間具有一夾角,該夾角的范圍介于30度至90度之間;
第一光源,位于該晶片的上方,該第一光源的一第一發光面面向該待測邊緣;以及
第二光源,位于該晶片的下方,該第二光源的一第二發光面面向該待測邊緣。
2.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該影像擷取單元與該晶片的該頂表面之間具有一間距,該間距大于0厘米且小于5厘米。
3.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該第一光源的該第一發光面與該晶片的該頂表面之間具有一夾角,該夾角的范圍介于20度至70度之間。
4.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該第一光源與該晶片的該頂表面之間具有一間距,該間距大于0厘米且小于20厘米。
5.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該第二光源的該第二發光面平行于該晶片的一與該頂表面相對的底表面。
6.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該影像擷取單元的該光軸與該晶片的該頂表面之間的夾角為60度。
7.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該至少一檢測裝置的數量為多個,該些檢測裝置沿著一圓形軌跡配置,且該些檢測裝置彼此之間的間距相等。
8.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該第一光源與該第二光源所分別發出的光線為波長范圍介于620納米至750納米之間的紅色光線。
9.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該第一光源與該第二光源所分別發出的光線為紅外線。
10.如權利要求1所述的電化學電鍍設備,其特征在于,該電化學電鍍設備還包括:
加熱模塊,用以對一晶片進行一熱處理制作工藝;
晶片傳送盒,用以容置該晶片;以及
第二機械手臂,位于該承載平臺、該加熱模塊以及該晶片傳送盒之間,用以抓取該晶片以使該晶片于該承載平臺、該加熱模塊以及該晶片傳送盒之間移動。
11.一種晶片邊緣檢測系統,其特征在于,該晶片邊緣檢測系統包括:
如權利要求1所述的電化學電鍍設備;以及
處理單元,電連接于該檢測裝置,用以接收該影像擷取單元所擷取該晶片的該待測邊緣的影像,該處理單元根據該待測邊緣的影像而計算出一晶片邊緣寬度值,將該晶片邊緣寬度值與一晶片邊緣寬度標準值比較后而得到一晶片邊緣寬度變化量,并將該晶片邊緣寬度變化量與一門檻值比較后而判斷該晶片是否處于一異常狀態,該處理單元因應該晶片處于該異常狀態而控制該電化學電鍍設備停止運作。
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